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选用合适的温度梯度(20～30℃／cm)与生长速度(1～3mm／h)，用坩埚下降法成功地生长出了掺杂Eu^3+的LiNbO3单晶。用X射线衍射及DTA分析表征了获得的晶体。生长的晶体无宏观缺陷，在He-Ne激光的照射下，无散射中心。测定了从生长初期下部到生长后期上部晶体的紫外一可见吸收光谱与荧光光谱。观测到分裂的光谱线。结果表明，沿着晶体生长方向，Eu抖浓度逐步减少。Eu抖离子在晶体中取代Li与Nb格位。