带有TiN阻挡层的新型Au金属化系统在硅微波器件中的应用

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将带有TiN、W和Mo阻挡层的Au金属化系统用在高频大功率三极管上,对其EB结进行了高温大电流应力和高温存储试验。结果表明采用TiN作阻挡层的管子的寿命比用W作阻挡层的管子提高了两倍多:用TiN作阻挡层的管子和用W作阻挡层的管子具有较好的耐高温特性,与Mo作阻挡层的管子相比它们承受的温度更高。 The Au metallization system with TiN, W and Mo barriers was used on high frequency high power transistors to test the EB junction for high temperature and high current stress and high temperature storage. The results show that the pipe life with TiN as a barrier is more than double that of the pipe with a barrier layer of W. The pipe with TiN as a barrier and the pipe with a barrier as W have better high temperature resistance and Mo The tubes that make up the barrier are warmer than they are.
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