与MOS存储器相竞争的动态I~2L随机存取存储器

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双极存储器件首次打入了现在为动态 MOS 存储器所占领的主存系统领域。这个双极存储器(型号为93481)是一个4096位随机存取存储器,它是用先进的集成电路制造工艺与完美的集成注入逻辑(或称为并合晶体管单元逻辑)设计相结合而制造成 For the first time, bipolar memory devices hit the realm of main memory systems now occupied by dynamic MOS memory. The bipolar memory (Model 93481) is a 4096-bit random access memory that is fabricated using a combination of advanced integrated circuit fabrication processes and perfect integrated injection logic (or referred to as the combined transistor logic) design
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