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研究了基于0.5μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的动态阈值MOS(DTMOS)晶体管的电流-电压特性曲线。与常规CMOS工艺PNP晶体管特性对比，得到了带隙电压基准电路设计准则；采用DTMOS和抗辐射设计加固技术，完成了抗辐射加固CMOS基准设计。辐照试验结果表明，设计的抗辐射加固CMOS基准的抗总剂量能力达到了300krad(Si)。