嵌入式SRAM的优化修复方法及应用

来源 :计算机辅助设计与图形学学报 | 被引量 : 5次 | 上传用户：leiguo152

【摘要】

：

为了提高SRAM的成品率并降低其功耗,提出一种优化的SRAM.通过增加的冗余逻辑及电熔丝盒来代替SRAM中的错误单元,以提高其成品率;通过引入电源开启或关闭状态及隔离逻辑降低其功耗.利用二项分布计算最佳冗余逻辑,引入成品率边界因子判定冗余逻辑的经济性.将优化的SRAM64K×32应用到SoC中,并对SRAM64K×32的测试方法进行了讨论.该SoC经90 nm CMOS工艺成功流片,芯片面积为5.

【作者】

：

周清军刘红侠吴笑峰王江安胡仕刚

【机构】

：

西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

【出处】

：

计算机辅助设计与图形学学报

【发表日期】

：

2008年10期

【关键词】

：

高成品率最佳冗余逻辑成品率边界因子低功耗电源开启或关闭状态 higher yield optimum redundancy logic boundary

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