【摘 要】
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为验证一款GaN功率放大器抗空间辐射效应能力,对其进行了重离子单粒子效应试验研究.被试样品是由GaN HEMT、MOS电容器和电感器等组成的混合电路.试验源为加速器产生的锗离子(
【机 构】
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中国空间技术研究院国防科技工业抗辐照应用技术创新中心:北京 100029;南京电子器件研究所,南京,210016;空间电子信息技术研究院,西安,710100;
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为验证一款GaN功率放大器抗空间辐射效应能力,对其进行了重离子单粒子效应试验研究.被试样品是由GaN HEMT、MOS电容器和电感器等组成的混合电路.试验源为加速器产生的锗离子(Ge+13,能量205 MeV),线性能量传输(LET)值为37.4 MeV·cm2/mg.试验结果是:GaN HEMT性能未出现变化;MOS电容器发生了介质击穿失效,造成功率放大器功能失效.经验公式计算的单粒子介质击穿电压,与重离子试验结果基本吻合,得出MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效.研究表明,混合电路中无源的MOS电容器也会发生单粒子介质击穿失效,应用于空间环境时应进行单粒子效应评估.
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