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本文给出了描写脉冲MOS电容器的瞬态特性的微分方程.产生区宽度采用准平衡模型来计算,反型少子的非稳态产生的影响已被计及,文中给出了用Runge-Kutta方法得到的I-t和C-t瞬态特性曲线,并进行了详细讨论.
准平衡模型下脉冲MOS电容器的瞬态特性
【摘 要】
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本文给出了描写脉冲MOS电容器的瞬态特性的微分方程.产生区宽度采用准平衡模型来计算,反型少子的非稳态产生的影响已被计及,文中给出了用Runge-Kutta方法得到的I-t和C-t瞬态
【机 构】
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杭州大学电子工程系
【出 处】
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杭州大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1992年4期
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