【摘 要】
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研究了脉冲中子辐照的中子嬗变掺杂(NTD)硅二极管中缺陷的形成及其退火特征,并与热中子辐照样品进行了比较.深能级瞬态谱仪(DLTS)测量表明硅中主要存在五类电活性缺陷:氧空位
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研究了脉冲中子辐照的中子嬗变掺杂(NTD)硅二极管中缺陷的形成及其退火特征,并与热中子辐照样品进行了比较.深能级瞬态谱仪(DLTS)测量表明硅中主要存在五类电活性缺陷:氧空位E1(Ec-0.19 eV),不同荷电态的双空位E2(Ec-0.28 eV)和E4(Ec-0.40 eV),双空位与氧杂质相结合的络合物E3(Ec-0.31 eV),以及与样品材料原生缺陷有关的辐照感生缺陷E5(Ec-0.48 eV).实验结果表明,脉冲中子辐照由于其高的中子能量和辐照剂量率,导致复杂络合物的浓度高于简单缺陷浓度.进一步400℃温度以下退火实验显示了缺陷的分解和重建过程.
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