【摘 要】
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近年来，可见盲与太阳盲光电探测器在火灾监控、太空通信和导弹尾焰探测等方面的应用引起了越来越多的关注。由于氮化镓(GaN)是直接宽带隙半导体材料，所以成为了在可见区与紫外区的光电器件的首选材料，而p-i-n结构的器件因其响应度高、暗电流低、便于集成等优点倍受人们的青睐。采用金属有机气相外延(MOCVD)法制备了p-i-n结构的GaN紫外光电探测器。在此基础上，采用N2气氛下热退火处理的方法，提高了p型GaN层的载流子浓度，从而降低了器件的暗电流。器件在1 V偏压下，暗电流仅为65 pA。器件在1 V偏压下的
【机 构】
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空军航空大学特种专业系，吉林长春130000吉林市计量测试技术研究院，吉林吉林132013
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近年来，可见盲与太阳盲光电探测器在火灾监控、太空通信和导弹尾焰探测等方面的应用引起了越来越多的关注。由于氮化镓(GaN)是直接宽带隙半导体材料，所以成为了在可见区与紫外区的光电器件的首选材料，而p-i-n结构的器件因其响应度高、暗电流低、便于集成等优点倍受人们的青睐。采用金属有机气相外延(MOCVD)法制备了p-i-n结构的GaN紫外光电探测器。在此基础上，采用N2气氛下热退火处理的方法，提高了p型GaN层的载流子浓度，从而降低了器件的暗电流。器件在1 V偏压下，暗电流仅为65 pA。器件在1 V偏压下的最大响应度值出现在361 nm处，大小为0.92 A/W。
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