GaAs(001)薄膜的表面形貌相变和表面重构

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【摘要】

：

从原子级平坦的GaAs(001)-β2(2×4)重构表面出发,结合Reflection High Energy Electron Diffraction(RHEED)衍射图像演变和不同尺度的Scanning tunneling microscope(ST

【作者】

：

刘雪飞吕兵罗子江王继红郭祥杨秀璋

【机构】

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贵州师范大学物理与电子科学学院,贵州财经大学信息学院,贵州大学大数据与信息工程学院

【出处】

：

功能材料

【发表日期】

：

2021年3期

【关键词】

：

GAAS(001) 形貌相变表面重构 RHEED STM GaAs(001) morphologies phase transition surfa

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目(11664005),贵州省科技计划资助项目(黔科合基础〔2019〕1041号,黔科合基础〔2020〕1Y021,黔科合基础〔2020〕1Y279)

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从原子级平坦的GaAs(001)-β2(2×4)重构表面出发,结合Reflection High Energy Electron Diffraction(RHEED)衍射图像演变和不同尺度的Scanning tunneling microscope(STM)实空间扫描图像,获取GaAs(001)薄膜表面形貌相变和表面重构的重要信息,深入地研究GaAs(001)表面形貌相变和表面重构的相互促进关系。研究发现表面重构的变化是促使表面形貌发生相变的主要动力,单一表面重构组成的GaAs(001)表面形貌

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