【摘 要】
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Inp热不稳定性是导致真空热淀积成膜失败的重要原因。虽然射频溅射法已成功制备了大量诸如GaAs,GaP和InAs等Ⅲ—V族化合物薄膜,但无Inp报道。我们首次以Inp晶体作靶,与磷共
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所离子束实验室 上海 200005
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Inp热不稳定性是导致真空热淀积成膜失败的重要原因。虽然射频溅射法已成功制备了大量诸如GaAs,GaP和InAs等Ⅲ—V族化合物薄膜,但无Inp报道。我们首次以Inp晶体作靶,与磷共溅射成功淀积了符合配比的非晶Inp薄膜。本文进一步探讨淀积Inp膜的生长结构。
Inp thermal instability is the leading cause of the failure of vacuum thermal deposition film formation. Although radio frequency sputtering has successfully prepared a large number of III-V compound films such as GaAs, GaP and InAs, no Inp has been reported. For the first time, we used Inp crystal as the target and co-sputtered phosphorus successfully deposited a matching Inp thin film. This article further explores the growth of Inp film deposition structure.
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