基于标准CMOS工艺的光敏传感单元结构的研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dmf625

【摘要】

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基于0.6 μm标准N阱CMOS工艺,研究了光敏管的结深及其侧墙结构对有源感光单元的感光面积百分比、光电响应信号幅值、感光灵敏度以及感光动态范围等参数的影响.研究了包括传统

【作者】

：

周鑫朱大中孙颖

【机构】

：

浙江大学信息与电子工程学系微电子技术与系统设计研究所

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2005年3期

【关键词】

：

互补金属氧化物半导体工艺侧墙结构光敏传感器动态范围 CMOS lateral structure photosensitive sensor

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基于0.6 μm标准N阱CMOS工艺,研究了光敏管的结深及其侧墙结构对有源感光单元的感光面积百分比、光电响应信号幅值、感光灵敏度以及感光动态范围等参数的影响.研究了包括传统N+/P衬底的光敏管结构,以及网格状N+/P衬底,N阱/P衬底,网格状N阱/P衬底,P+/N阱/P衬底的光敏管结构.测试结果表明,不同深结深的光敏管结构,可以将器件感光灵敏度提高8～16.5 dB;网格状光敏管结构可以增加光敏管的侧墙面积,改善器件感光灵敏度;非网格状光敏管结构具有较低的暗电流和较大的感光动态范围,其中P+/N阱/P衬底

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