高性能电控太赫兹幅度调制器研究

来源 :重庆邮电大学学报(自然科学版) | 被引量 : 2次 | 上传用户：haideliliang

【摘要】

：

设计了一种由具有高谐振强度的四开口圆环超材料结构和高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor, HEMT)复合结构构成的电控太赫兹幅度调制器。将HEMT巧妙地设计在四开口圆环超材料结构的开口处,通过外加电压的方式调节HEMT沟道中的二维电子气浓度,改变超材料结构的谐振模式,进而实现对入射太赫兹波的幅度调控。仿真结果显示,随着二维电子气浓度的改变,调制器的

【作者】

：

马勇杨力豪杨龙亮何金橙刘艺徐倩雯刘嘉诚韩宇航

【机构】

：

重庆邮电大学光电工程学院

【出处】

：

重庆邮电大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2021年02期

【关键词】

：

太赫兹超材料高电子迁移率晶体管调制器

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