【摘 要】
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本文探讨了在扫描电镜中单壁碳纳米管的成像问题。一般情况下碳纳米管的像衬度随入射电子能量,扫描速度,样品基底和环境而变,情况非常复杂。但在一定厚度的SiO2绝缘基底上且
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本文探讨了在扫描电镜中单壁碳纳米管的成像问题。一般情况下碳纳米管的像衬度随入射电子能量,扫描速度,样品基底和环境而变,情况非常复杂。但在一定厚度的SiO2绝缘基底上且与金属电极相连的单壁碳纳米管的成像机理则相对简单。单壁碳纳米管像衬度的贡献主要来源于二次电子而不是背散射电子。像衬度产生的机理主要为SiO2绝缘基底在成像过程中的电荷积累导致的表面电势的变化对于碳纳米管以及周围SiO2基底二次电子发射效率的影响。
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