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高剂量的氦离子注入并热处理在硅中形成对金属具有高吸杂作用的微孔.以低金属杂质浓度的硅平面二极管的反向漏电流为指标,研究了吸除的热处理过程对微孔吸杂效果的影响.在适当的热处理温度和冷却条件下,观测到二极管反向漏电流的显著改善,部分样品漏电流可降低3个数量级.
氦诱生微孔对硅二极管漏电流特性的改善
【摘 要】
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高剂量的氦离子注入并热处理在硅中形成对金属具有高吸杂作用的微孔.以低金属杂质浓度的硅平面二极管的反向漏电流为指标,研究了吸除的热处理过程对微孔吸杂效果的影响.在适
【机 构】
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四川大学,重庆光电技术研究所
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2003年2期
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