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通过对多热源合成碳化硅温度场的数值模拟,研究了碳化硅冶炼过程中的温度变化规律,揭示了多热源合成SiC节能增产的机理。研究表明,由于多热源之间的屏蔽作用与热能叠加作用,使高温区域热能扩散和物质扩散动力更强,高温区分布更宽,炉内温场相对更均匀,导致多热源合成SiC技术具有明显的节能、降耗、提质、增产的特点,生产更安全。