关断能量损耗相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

关断能量损耗相关论文

4H-SiC槽栅IGBT低功耗结构设计

近些年,第三代半导体材料SiC受到研究人员广泛地关注,这是由于SiC相比于Si具有更宽的禁带宽度、更高的临界击穿电场、更高的电子饱......

学位

4H-SiC IGBT 关断能量损耗正向压降击穿电压

一种低功耗4H-SiC IGBT的仿真研究

针对传统沟槽栅4H-SiC IGBT关断时间长且关断能量损耗高的问题,文中利用Silvaco TCAD设计并仿真了一种新型沟槽栅4H-SiC IGBT结构......

期刊

4H-SIC IGBT 击穿电压关断能量损耗正向压降 Silvaco TCAD 4H-SiC IGBT breakdown voltage turn-off

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