双极性晶体管相关论文
分析表明，在半航空频率域测量中，感应式磁传感器作为接收系统的重要组成部分，对探测结果有着巨大的影响，当前还没有应用于该领域的商用......
以中电集团第二十四研究所0.8um模拟BiCMOS工艺为背景,介绍了在BiCMOS工艺中高速双极型晶体管结构设计和工艺集成所涉及的主要问题......
设计了一种超宽带高斯脉冲发生器，此脉冲发生器主要元件是SRD(Step Recovery Diode).肖特基二极管，双极性晶体管和微带线。利用SRD元......
对硅基微波低噪声晶体管2SC3356进行CB结反偏注入,研究了其ESD潜在性失效规律.在实验中通过监测器件的放大倍数hFE来表征器件的潜......
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)都能提供低损耗开关性能,但在驱动方法和保护措施方面有着明显区......
近两年来音响市场略有退热的趋势,不过那多半是指家用的器材而言。Hi-End圈内则相对稳定一些,因此各Hi-End厂家仍不断推出各种新......
本文简要介绍了一种ＩＧＢＴ管损耗在线测试仪的结构原理。该仪器采用了动态采集技术，可对ＩＧＢＴ管的各参量进行在线测量并计算出实际损耗。
This......
国际整流公司 (ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＲｅｃｔｉｆｉｅｒ ,简称ＩＲ) ,推出全新ＩＧＢＴ (绝缘栅双极性晶体管 )及ＦＲＥＤ(快恢复外延二级管 )工艺 ,使关断时间比上一代器件缩短 70 % ,而功耗......
作为高密度功率半导体器件的领航者,三菱电机采用最新的CSTBTM硅片技术开发出了大功率两单元功率模块,额定值达到900A/1200V、1400......
介绍了一款应用于3GHz通信的基于改进增益平坦度的功率放大器设计,其由商用InGaP/GaAs异质结双极性晶体管(HBT)工艺制作.为了以简......
针对高速锗硅异质结双极性晶体管,在基于HICUM模型的基础上,建立了HICUM可缩放模型,并且在ADS和Hspice中都得到了很好的应用。可缩......
恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)日前推出首款采用5mm×6mm×1mm超薄LFPAK56(SOT669)SMD电源塑封的双极性晶体管。新组合由......
近几年来,被誉为高精度的水晶手表十分引人注目。这种水晶表与原来的机械式表不同,它是采用集成电路驱动的。这种表的精度较高,误......
目的 通过提高X射线的线质,降低医生和患者的受照剂量.方法使用单片机控制技术,通过绝缘栅双极性晶体管(IGBT)对X射线高压发生器初......
介绍了绝缘门极双极性晶体管(IGBT)的基本结构、工作原理、开关特性,以及在焊接逆变器中的应用。
The basic structure, working ......
介绍了采用绝缘门极双极性晶体管（ＩＯＢＴ）作开关元件的逆变式点焊机的工作原理及特点。研究表明：ＩＧＢＴ逆变式点焊机结构及电路简单，可靠性高，功率因......
随着IGBT芯片越来越薄和电流增益越来越低,电流集中效应在IGBT短路关断过程中变得更显著,尤其是在自夹挤模式下。为了提高IGBT短路......
日立制作所研制成具有双向放大功能的新的双极性晶体管结构SICOS(侧壁基极电极型结构).SICOS型晶体管具有高速度和高集成度的优点......
结型电荷耦合器件(JCCD′S)可以通过栅极注入电荷。在制作JCCD′S的同时还可以制作双极性晶体管和n-沟JFET′S。利用这些特性可以......
一、引言多晶硅薄膜在集成电路制造工艺中应用日趋增多,诸如利用多晶硅薄膜制造硅栅、多晶硅薄膜电阻、多晶硅引线、双极性晶体管......
一、引言光纤传输系统中,一个重要的组成部分是光接收机,它把通过光纤衰减后的微弱信号进行光电转换,并进行放大。影响光接收机性......
松下电气产业中央研究所把原来的二极管激光器结构改成异质结双极性晶体管(HBT)结构,研制了由晶体管的二个独立基极电极构成的半......
常规的IRAN方法太繁锁,而且筛选周期较长.近年来我们进行的大量实验表明:用电子束辐照,电子束退火,可以作为IRAN的一种方法.实验......
日本松下电子工业公司研制成通态电阻为270毫欧/毫米~2的场效应晶体管.该器件采用了在硅衬底上开沟,在其侧面形成沟道的纵向垂直......
图1、)所示的双极性晶体管 Q_1在点 A、B 间呈现线性可调电阻。点 A、B 间可施加由运算放大器 IC_1～IC_5放大输出的电压范围内的任......
根据YTO低成本市场需求,提出了C—X跨频段YIG调谐耿氏振荡器产品设计。本文着重介绍宽带匹配双节变换器与磁路的设计计算,并给出了......
单极性电源设计中,通常考虑只要求把能量从电源传送到负载。然而,在许多情况下,也会要求电源从负载接收能量。由于输出电压变得大......
已知光纤、激光器、探测器的参数和系统传输码率和误码率的要求,如何确定系统可能达到的通信距离,是光纤通信系统总体设计的主要问......
双极性有机场效应晶体管既能够传输电子也能传输空穴，是有机半导体中研究载流子传输理论非常基础的一个研究方向。相对于单级晶......
在本文中，阐述了应用于双极性晶体管环电路的著名的跨导线性电路原理，并将它延伸到了MOS环电路。在电路分析中，为了方便跨导线性环的......
该文提出了一种新型的脉冲微束等离子弧焊电源，电源采用绝缘门极双极性晶体管作为高频开关器件，在所设计的控制电路的控制下，它具有良......
通过对脉宽调制（PWM）原理及其与比例电磁铁输入电流关系的分析，充分结合VMOS开关管的特点，提出一种比例放大器的设计方案，并用实验证明......
双极性薄膜晶体管可以通过改变栅极和源漏电压的极性和大小来实现空穴和电子的可控注入与输运。其可简化电路的设计和制备流程,从......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
随着开关电源技术的不断成熟,在电视发射领域得到了广泛的应用。其体积小、效率高、电磁污染小、可靠性高等特点得到广泛认可。在......
集成电路（Integrated Circuit, 通常简称IC）是在硅板上集合晶体管、二极管、电阻、电容和电感等多种电子元器件以及它们之间的互连引......
为分析双极性晶体管放大电路而引入的众多双极性晶体管等效模型加重了初学者负担。本文介绍了一种从双极性晶体管物理结构出发推导......
对Hefner的IGBT模型静态部分进行了详细的理论分析.由于IGBT中含有宽基极、低增益的晶体管，因此采用双极性传输方程来描述IGBT电流.......
阐述了对ＩＧＢＴ驱动器的基本要求，介绍了ＩＧＢＴ驱动器的各种电路形式及特点，指出了使用时应注意的问题。......
介绍了一种电力电子装置三维柜体结构设计用计算机辅助设计软件；简述了其各种功能和操作步骤。借助粗检和细检的概住房提出了一种电......
分析了变频器主功率器件ＩＧＢＴ的死区时间对其输出电压，输出电流的影响。在剖析几种常用补偿方法的基础上，提出了一种简要，实用，有效的补偿方......
Microsemi日前推出一款用于TCAS（机载防撞系统）航空发射机具有业界最高功率的晶体管。此款双极性晶体管型号为TCS1200，采用在Class C......
To date,the high power arc plasma technology is widely used. A next generation high power arc plasma system based on bui......
