对靶磁控溅射相关论文
作为新一代的宽禁带半导体材料，ZnO薄膜可以制成GaN蓝光薄膜的过渡层、表面声波谐振器、透明导电膜以及压电器件等，并且有望替代GaN......
采用对靶磁控反应溅射技术,以氢气作为反应气体在不同的氢稀释比条件下制备了氢化非晶硅薄膜.利用台阶仪、傅里叶红外透射光谱、Ra......
为了研究稀磁半导体Co/TiO2薄膜的微观结构和磁性,进一步探讨制备工艺和测量方法对稀磁半导体薄膜材料的影响。通过高真空对靶直流......
应用直流对靶磁控溅射法在玻璃基片上沉积了FePt/Tix（FePt）100-x薄膜，并在真空中进行原位退火．研究表明，衬底层Ti含量对FePt／Tix（FePt）100-......
采用对靶直流磁控溅射设备制备镍铁氧化物催化薄膜，研究了溅射气压与催化薄膜的结构、表面形貌、过电位、电阻率及生长速率之间的关......
报道了采用对靶磁控溅射法制备的铁镍氧化物薄膜的其光电特性和结构与氧氩比之间的关系:氧气含量在20%~1%的范围内改变时,获得材料......
采用对靶直流磁控溅射制备的铁镍氧化物薄膜,其电特性、电化学特性和结构与反应溅射过程中氧氩比之间有很大的关系。实验结果表明......
