扩展电阻相关论文
浙江大学高纯硅及硅烷实验室,始建于1959年,1985年被国家教委批准为重点实验室,1987年11月通过国家级验收。实验室由阙端麟教授为......
对扩展电阻温度 (SRT)传感器的阻温特性 (R -T)进行了研究。实验结果表明 ,器件的结构尺寸、衬底的掺杂浓度大大地影响着器件的最......
重点阐述了在薄膜SOI上制成的扩展电阻温度(SRT)传感器的阻温特性(R-T).利用器件二维模拟软件PISCES研究了最高工作温度(Tmax)的Si......
在薄膜SOI衬底上制备普通电阻结构的硅温度传感器，并具有令人满意的特性：即使在0．1mA的低偏置电流下，器件的最高温度工作温度仍能达到5......
论述了扩展电阻分布法的基本原理和具体操作方法,该法中两个精确排列的探针,沿着被测晶片的磨制斜面边移动,边测试,得出系列数据。......
半导体产品直径的不断变大,一方面对外延工艺的均匀性很高,而且对于过渡区的要求也越来越高,通过改进现有的扩展电阻仪器的测量方......
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本文扼要地阐述了扩展电阻技术的原理,并指出了该技术发展过程中遇到的难点及最终解决办法——定标曲线、薄层修正等.同时介绍了扩......
扩展电阻法利用测量纵向深度电阻率的变化获得外延片厚度。实际外延片测试过程中,经常发生扩展电阻测试仪测量硅外延片厚度误差较......
本文应用X射线衍射方法、红外光谱分析方法、扩展电阻测量方法研究了N+和N+2注入硅的应变、损伤度、扩展电阻率随注入剂量、注入深......
本文提出了一个新的扩展电阻薄层修正因子的计算方法——二次函数分段插值法.该方法不仅计算速度快、所需计算机内存容量小,而且计......
