极性半导体相关论文
计及电子－声子耦合计算了局域在极性－极性半导体异质结上的激子的结合能，得到了两支界面光学声子模对结合能的贡献．结果表明：对于重空穴......
运用改进的无规元素孤立位移模型，研究了三元混晶构成的三层极性半导体之界面光学（ＩＯ）声子模．发现在典型的三元混晶三层系中，除局域在三个......
计及电子－声子相互作用计算了极性－极性半导体量子阱中激子的结合能．考虑空穴带质量的各向异性，利用变分法计算了在量子阱中与电子和空......
本文采用ｆｓ脉冲饱和吸收光谱技术研究了室温下Ｓｉ掺杂ＧａＡｓ在电子激发态处于费密面附近时重空穴的超快弛豫特性．测量到重空穴的热化时间约为３００ｆｓ，与......
采用线性组合算符法和幺正变换方法,研究极性晶体膜中束缚极化子的基态能量、自陷能随膜厚d的变化关系。得出束缚极化子的自陷能由......
运用蒙特·卡罗(Monte Carlo)方法研究了微波场效应晶体管源和漏之间的电子动力学。介绍了平均电子速度的空间依赖关系和时间依赖......
本工作根据极性半导体的载流子散射机构的基本模型,计算出杂质浓度和迁移率的关系,分析了模型的实验基础,认为在55°K下由载流子的......
本文由作者导出的极性晶体表面激子的有效哈密顿量出发,用变分法计算了一些极性半导体材料的表面激子结合能,进一步讨论了晶格振动......
用国产分子束外延设备(Ⅳ型)在p型Si衬底上用三阶段生长法生长出优质GaAs外延层。测试样品为2μm厚,n型掺杂浓度5×10~(16)cm~(-3)......
用类Ｌｅｅ－Ｌｏｗ－Ｐｉｎｅｓ中间耦合方法讨论了在有限温度情形极性－极性半导体异质结中界面极化子的性质．在二维近似下，得到了两支界面光学声子模影响下的极......
本文利用半导体二极管单向导电特性，将二极管与电解电容器有机结合，组成双极性半导体电解电容器。试验表明，该组合器件可根据不同的应......
在过去的几十年中,对低维材料物理研究变成一个活跃领域。随着微加工和纳米技术的发展,人们已经可以制造出量子点.由于量子点应用......
采用改进了的线性组合算符和微扰法,研究极性半导体中电子与表面光学声子耦合强、与表面声学声子耦合弱的表面磁极化子的性质.讨论......
计及电子－声子相互作用计算了极性－极性半导体量子阱中激子的结合能，考虑空们带质量的各向异性，利用变分法计算了在量子阱中与电子和空......
电离杂质在低温半导体的输运过程中起了一个重要的角色.因此最近几年对极性半导体(例如异质结、量子点、量子线和量子阱)内的极化......
有不少的极性半导体，电子与表面光学（SO）声子耦会强，但与表面声学（SA）声子耦会弱。本文采用线性组合算符方法，导出了极性半导体中通过形变......
利用Feynman路径积分变分方法，推导了整个电声子耦合区域的量子阱中束缚极化子的基态能。对其数值结果研究表明：当量子阱的约束势达......
低成本、大面积、沉积速率高、均匀性好、光电性能优良的A1掺杂ZnO薄膜（AZO）制备技术依然是透明导电薄膜领域研究的重点之一。本文采......
由极性半导体ＧａＡｓ，ＧａＰ 等和非极性半导体Ｇｅ，Ｓｉ等构成的异质结构，为高速集成和光电子集成技术的发展提供了新的机会，同时也为基础物理研究提出了新......
本文研究极性半导体中电子表表面光学声子和表面声学声子均为弱耦合时表面磁极化子的性质，讨论反冲效应中不同波矢声子之间相互作用......
福建物构所中科院采用光催化方法，利用氧化锌极性半导体的内嵌电场促进光生电子与空穴的分离，结合纳米氧化锌表面缺陷调控和纳米银的......
极性半导体GaAs在非极性半导体Si表面外延生长,普遍选用(100)面Si材料作衬底,外延时由于Ga,As原子占据不合适的晶格位置,通常导致......
本文研究极性半导体中表面激子的性质,采用微扰法导出表面激子的有效哈密顿量。在计及反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用时,......
在无规相近似下,计入相邻量子阱间的电子隧穿效应,研究了极性半导体超晶格中的等离激元与纵光学声子的耦合,得到了它们耦合模的色......
科学研究视“创新”为灵魂、以“首次”为骄傲，虽然这未必是经过严密论证的逻辑定律。到了今天，人类的科学研究、特别是中国的科学研......
采用改进了的线性组合算符和微扰法，研究极性半导体中电子与表面光学声子耦合强，与表面声学声子耦合弱的表面磁极化子的性质。讨论了......
本文利用扩展基矢法研究了频率依赖型二维光子晶体的能带结构。论文由两部分内容组成，分别为：二维极性光子晶体的能带结构特点及场分......
