随着半导体工艺的发展,器件的速度越来越快,栅氧化层的厚度也越来越薄,因此如何对该工艺进行精确控制成为了保证器件性能的关键。......

介绍一种薄栅氮化的工艺方法，可用于0．8-1．0μm级别的MOS集成电路及抗辐射MOS集成电路的工艺生产中。......

由于Si材料受迁移率低、禁带宽度固定等性质的限制,SiGe材料在微电子领域中受到越来越多的关注。在SiGe虚拟衬底上生长应变Si层做......

基于抗辐射0.6umCMOS工艺,对5V/20V&LV/HVNMOS器件进行了总剂量加固结构设计,并采用叠栅氧工艺成功制备了抗总剂量能力逸500krad(S......