热载流子相关论文
研究了混合模式应力损伤对SiGe HBT器件直流电性能的影响，对比了混合模式损伤前后器件1/f噪声特性的变化。结果表明，在SiGe HBT器件......
以40nm-n型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET）为研究载体,探索了其总剂量效应与热载流子效应之间的耦合机制。分别对试验载体进......
厚度低至原子层的金属薄膜具有优越的光吸收能力和导电特性,尤其是在金属薄膜和介质界面激发的表面等离激元,可以很好地捕获光子并......
表面等离激元是金属与介质界面上自由电荷的集体相干振荡。表面等离激元共振可实现纳米尺度下的光场限域和光场调控,是实现突破光......
在微电子和集成电路领域,硅基半导体器件伴随着材料和器件的物理尺寸缩小到纳米尺度,从1960年代后期的微处理器到1970年代初的自动......
基于STI（Shallow Trench Isolation）的LDMOS（Laterally Diffused Metal-OxideSemiconductor Field-Effect Transistor）器件由于耐压高......
金属中的自由电子可以通过表面等离激元共振的非辐射驰豫被激发为热载流子。在金属纳米结构与半导体形成的肖特基结构,在金属一侧......
在光电转换过程中,普遍存在快速热化现象,这将影响光电器件的性能。热载流子弛豫时间是影响热化的一个关键因素,因此,研究者通过提......
表面等离激元光催化剂的研究为传统光催化领域注入了新的活力。表面等离激元共振可以通过光热、光化学和光生伏打过程实现太阳能的......
本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导......
近年来,二氧化钛、氧化锌等半导体材料被广泛应用于光解水研究中。金属纳米结构激发的表面等离激元(SPP)热载流子效应能够有效地俘......
期刊
热载流子能量耗散是太阳能电池效率损耗的主要来源之一.近年来,钙钛矿中的热载流子效应获得了研究人员的广泛关注.相比于传统半导......
在基于薄膜晶体管(TFT:Thin-Film Transistor)的电路中,热载流子(HC:Hot Carrier)引起的器件退化是 N 型低温多晶硅(LTPS:Low Temp......
近几年来,有机-无机杂化钙钛矿材料作为一个备受关注的光电材料,已经在许多领域展现出了其优异的性能。比如钙钛矿单节太阳能电池......
太阳能光伏发电以其能量无限和无环境污染的独特优点，成为目前解决能源和环境问题最有希望的可再生能源。我们通过大量文献资料的查......
根据先进半导体制造有限公司的生产实际,该文主要研究了热载流子注入栅氧中对器件性能的影响以及用热脱附谱研究掺磷氧化硅吸收水......
第一章绪论 第二章引言 自从开展对SK模式自组装量子点研究以来，人们对量子点中热载流子的弛豫机制进行了广泛的探讨。弄清载......
论文提出了0.5μm CMOS工艺圆片级可靠性(WLR)评估的方法,为工艺、电路可靠性提高和及时在线控制开拓了新思路。论文针对0.5μm工......
通过对国产加固N型MOS电容进行衬底热电子高场注入(SHE)及γ总剂量辐照实验，特别是进行总剂量辐射损伤后的热载流子损伤叠加实验，从......
基于 MOSFET热载流子可靠性物理 ,并结合电应力条件下热载流子退化特征量ΔIds/Ids0 、Isub等实测数据的拟合处理 ,发展了可表征退......
本文详细研究了不同栅压应力下1.8V p MOS器件的热载流子退化机理.研究结果表明,随着栅压应力增加,电子注入机制逐渐转化为空穴注......
研究了SIMOXSOI器件的电学特性 .发现在众多的MOSFET中 ,输出特性曲线的低漏压端都出现了“鸟嘴”形畸变 ,表现在转移特性曲线上便......
为了减小高压N-LDMOS器件的热载流子效应并维持其开态特性,提出了一种带有阶梯栅氧的新型N-LDMOS器件结构.与传统的N-LDMOS器件相......
研究了金属氧化物半导体(MOS)器件在高、中、低三种栅压应力下的热载流子退化效应及其1/fγ噪声特性.基于Si/SiO2界面缺陷氧化层陷......
小尺寸ＭＯＳ器件参量具有很强的分布效应，需要二维模型描述，本文从ｙ截面流函数方程求解获得了ＭＯＳ器件中的沟道电流和衬底电流二维分布解析模型......
研究了18V漏板延伸金属氧化物半导体场效应晶体管（DEMOS）在高栅极电压下的热载流子注入效应。实验观察到两种失效模式，分别是热空穴的......
研究了搭桥晶粒（BG）多晶硅薄膜晶体管（TFT）在直流电应力下的退化行为和退化机制。与普通多晶硅TFT相比,BG多晶硅TFT展现出更好的直流应......
研究了用注F工艺制作的短沟MOSFET的热载流子效应.实验结果表明,在栅介质中注入适量的F能够明显地减小由热载流子注入引起的阈电压......
对国内常规54HC工艺制作的PMOSFET进行了F—N热载流子注入损伤实验，研究了MOSFET跨导、粤电压等参数随热载流子注入的退化规律，特别......
详细研究了高压N—LDMOS器件的电荷泵（CP）测试技术，指出了高压N—LDMOS器件的特殊结构对其CP测试结果的影响，并解释了高压N—LDMOS器件......
介绍了评价热载流子注入效应的加速寿命试验,针对具体的工艺线,提取了MOS管加速寿命试验的模型参数,以阈值电压变化10 mV为失效判......
本文报道了低掺杂硅PN结正向低温特性的测量结果。低温下,PN结正偏电压(V_F/出现异常现象,即正向偏压与温度T之间的关系是非单调的......
针对功率n-LDMOS器件在动态应力条件下的热载流子退化恢复效应进行了实验和理论研究.电荷泵实验测试和器件专用计算机辅助软件的仿......
研究了光电导天线辐射产生的太赫兹电场强度与外加偏置电场的关系。利用太赫兹时域光谱系统对34μm孔径GaAs偶极子光电导天线进行......
该文主要阐述了热载流子效应产生的物理机制及器件的退化,进一步介绍了在JEDEC标准中,对可靠性模型寿命计算做出的规范下,目前使用......
提出了一个提高PDSOI nMOSFETs可靠性的方法，并且研究了这种器件的热载流子可靠性。这种方法是在制造器件中，进行背沟道注入时只注入......
研究了ETOXTM结构FLASH memory单元器件在VFG≈VD/2的热载流子写入应力条件下,衬底负偏置对单元器件耐久性退化的影响.结果表明：在......
研究了热载流子应力下栅厚为2．1nm，栅长为0．135μm的pMOSFET中HALO掺杂剂量与器件的退化机制和参数退化的关系．实验发现，器件的退化机制......
研究了超薄栅(2．5nm)短沟HALO-pMOSFETs在Vg=Vd／2应力模式下不同应力电压时热载流子退化特性，随着应力电压的变化，器件的退化特性也发......
研究了2．5nm超薄栅短沟pMOSFETs在Vg=Vd／2应力模式下的热载流子退化机制及寿命预测模型，栅电流由四部分组成：直接隧穿电流、沟道热空穴......
针对FG-pLEDMOS施加高栅压低漏压的热载流子应力会使器件线性区漏电流发生退化,而阈值电压基本保持不变,使用TCAD软件仿真以及电荷......
OTP（one time programmable memory）是常见的一种NVM，在有限密度有限性能的嵌入式NVM方面有较多的应用。传统的EEPROM、SONOS、E—Fla......
随着微电子技术的不断发展,传统的硅基晶体管技术终将面临其物理极限,基于新材料和新结构的器件研究被人们寄予厚望,为探索下一代......
用飞秒脉冲泵浦-探测技术通过时间分辨差分透射谱和透射衰减曲线研究了ZnSe0.2Te0.8/ZnTeII型多量子阱结构中热载流子的产生、弛豫......
