相变光盘相关论文
本文提出一种计算相变型光盘膜系光学特性的方法.并以TeSbSe光记录介质为例,讨论了三层膜相变光盘的优化设计.......
提出了光学薄膜温度场的概念，研究分析了薄膜光学性质和热，物性质对其温度场的影响，给出了相变光盘薄膜和高功率激光反射膜的具体设计......
研究了６３２．８ｎｍ波长下适用的相变光盘介质Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的制备方法和静态光存诸记录特性，发现该薄膜可在１００ｎｓ条件下实现直接重写，在优化膜层结构后，写擦循环......
研究了单层ＧｅＳｂ２Ｔｅ４真空射频溅射薄膜在４００ｎｍ～８３０ｎｍ区域的吸收、反射光谱和光学常数（ｎ，ｋ），发现ＧｅＳｂ２Ｔｅ４薄膜在４００ｎｍ～６００ｎｍ波长范围内具有较强的吸收。在短波长静态测试仪上测试了......
相变型双光束光学头系统中，用到两块位相延迟器，即四分之一波片（ＱＷＰ）与二分之一波片（ＨＷＰ），其中ＱＷＰ的性能对系统的影响最大，包括光盘读出信号的信噪比......
研究了有机染料酞菁铜（ＣｕＰｃ）真空蒸镀薄膜在可见及近红外区域的吸收光谱和光学常数，发现酞菁铜薄膜在５５０～７５０ｎｍ波长范围内具有较强的吸收．在静态测试......
研究了烷基取代的可溶性金属酞菁化合物Ｐｒ４ＭＰｃ／ＰＭＭＡ的ＤＩＰ薄膜的光谱特性和光存储性能．研究表明，该薄膜在可见光波段有优良的吸收和反射特性，以该薄膜......
GeSbTe体系是目前最适用于可重写相变光盘记录的材料，本文利用自己研制成功的相变光盘动态测试装置对本所研制的GeSbTe相变光盘进行......
该文利用石英管真空保护熔炼技术对Sb-Se系和Ge-Sb-Te系记录介质合金进行熔炼,对其组织进行了分析,并利用DSC,X射线衍射仪,分光光......
本文研究了一种新的相变记录材料—GaSbBi。对靶材的组织与性能，薄膜的结构、结晶动力学及光学性质进行系统的测试分析。 采用冷......
１ 前言提高相变光盘记录密度的有效方法之一，就是在光盘的凸道（Ｌａｎｄ／平台）和凹道（Ｇｒｏｏｖｅ／凹槽）都记录信息。这种方法叫作Ｌ／Ｇ记录方式。可擦写型相变光盘......
利用X射线衍射仪 ,分光光度计对Sb Se系和Ge Sb Te系相变光盘记录介质材料非晶态薄膜相变前后结构的变化 ,光学性能进行了系统的研......
为了使光盘获得优良的记录/读出性能并能够长期稳定地使用,必须优化设计相变光盘的多层膜结构.采用自行设计的模拟分析相变光盘读......
本文结合非晶态物理学的基本原理,介绍了相变光盘的写入和擦除原理,以及实现直接重写的操作原理.......
利用DSC对Sb-Se系和Ge-Sb-Te系粉末热力学参数进行了研究,对于Sb-Se系合金,仅在温度为220℃左右时出现一个放热峰,而对于GeSb2Te4......
超分辨技术是一种无需用减小波长或增大数值孔径的方法减小记录点尺寸而能读出超过衍射极限信号从而有效增加存储密度的一种方法.......
利用热差分析(DSC)技术对Sb-Se和Ge-Sb-Te系合金的热力学性质进行了研究.结果表明,Sb-Se系合金的DSC曲线只有一个放热峰,温度为220......
利用DSC，X射线衍射及分光光度计，对Sb-Se系和Ge-Sb-Te系记录介质的热力学参数、非晶态薄膜相变前后结构的变化及光学性能进行了系统......
利用AFM、XRD、TEM、紫外可见光谱仪和椭偏仪等多种研究手段研究了ZnS-SiO2薄膜的性能.研究表明,沉积态ZnS-SiO2薄膜为非晶态,表现......
采用波长为405nm的蓝光半导体激光器和数值孔径为0．65的聚焦物镜，对不同激光功率下CD-RW相变材料的存储特性进行研究．结果表明，在本系......
