磷化铟异质结双极晶体管相关论文
在毫米波段,InP基器件由于其具有高频、高功率、低噪声及抗辐射等特点,成为人们的首选,尤其适用于空间应用。InP HEMT和InP HBT已......
报道了采用多层布线的101.6 mm（4英寸）0.7μm InP HBT圆片工艺。器件工艺中台面均采用湿法腐蚀工艺,结合自对准光刻和BCB互联平坦化......
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