红外吸收带相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

红外吸收带相关论文

砷化镓上等离子体阳极氧化膜的红外吸收光谱

<正> GaAs的等离子体氧化在国内外已有报道.该薄膜的表面态密度约为10~11/cm~2.oV量级,击穿场强大于10~6V/cm.可用于MOSFET器件、......

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红外吸收光谱氧化膜 OPA 红外吸收带等离子体阳极氧化砷化镓

氢化非晶及微晶硅的氢含量和红外光谱研究

本文报道了不同衬底温度,不同生长速率和不同射频功率情况下辉光放电分解硅烷方法生长的氢化非晶与微晶硅中的氢含量和红外振动吸......

期刊

红外吸收带红外光谱微晶硅氢含量

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