负差分电阻相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

负差分电阻相关论文

GeSe2:Bi一维纳米结构的制备及其性能研究

GeSe2是一种宽禁带半导体材料,其禁带宽度为2.7eV,是IVA-VIA族化合物家族中的重要成员。作为一种新型的多功能材料,GeSe2因其在光......

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GeSe2:Bi纳米带电阻开关效应负差分电阻现象压阻效应非易失型存储器件

基于β-CuSCN微/纳米结构的电阻开关及光电导性能研究

随着微电子技术的发展及闪存面临小型化的极限,阻变存储器因同时具备高速和高密度存储的特点,成为下一代存储器有力竞争者之一。但......

学位

CuSCN薄膜电阻开关负差分电阻阻变存储器光电导

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