量子力学效应相关论文
据参考消息7月9日消息,以色列特拉维夫大学研究人员研发出一款只有两个原子厚的微型设备,可用于存储电子信息。该设备分为两层,一......
我们描述一条计算途径，把量力学合并到与运动同位素效果的计算上的一个特殊重音当模特儿的酶动力学。二个方面被加亮：( 1 )势能表面......
研究聚变产生的高能带电粒子在本底等离子体中的热化过程,对它们传给电子和燃料离子的能最份额,它们的热化时间,与快离子β值直接......
以半导体器件二维数值模拟软件Medici为工具,研究了应变SiGe沟道PMOSFET反型层量子力学效应(QME).模拟和对比了应变SiGe PMOS和Si ......
该文对ULSI器件中的量子力学效应和量子隧穿电流的研究方法,对器件性能的影响和模型方面进行了系统的研究工作.在量子力学效应和量......
随着MOSFET的尺寸按比例缩小,为抑制短沟效应栅氧化层厚度不断减小,同时衬底掺杂浓度不断增加.因此沟道表面横向电场越来越强,导致......
MOSFET器件尺寸的按比例缩小导致栅氧化层厚度越来越小，同时衬底掺杂浓度不断提高，而栅电压的减小相对较弱，从而使得器件沟道表面的纵......
当关键场效应管的尺寸缩减到100nm区域以下,量子力学效应开始凸显并显著改变了器件的物理特性,使得器件的功能性与可靠性变得愈加......
用四个点电荷构造一个简单、新颖的静电势阱,并基于含时薛定谔方程和有限差分时间域方法,研究冷原子在该势阱中的量子力学效应.以......
纳米量子器件是目前纳米物理学与纳米电子学领域中最重要的研究方向.人们预测,该领域中的任何一项具有实质意义的突破性进展,都极......
一个简单分析模型被开发了学习量在金者底层 MOSFET (金属氧化物半导体领域效果晶体管)的机械效果( QME )，它在减少通道的高绝缘的......
<正> As the channel length of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) scales into thenanometer regi......
从电阻产生的物理机制即电子与晶格振动的相互作用出发,对并联电路RLC进行了量子化,并计算了相应物理量的量子涨落.......
量子退相干理象是由系统与环境的纠缠所引起的系统相干性的消失，是一种纯粹量子力学效应[1].......
对D-He3聚变产生的高能带电粒子,它们在本底等离子体中热化初始阶段的能量损失速率或慢化时间的计算准确性直接影响到能量平衡和快......
量子力不效应对于深亚微米ＭＯＳＦＥＴ特性的影响随着衬底浓度的增加和栅氧层厚度的减小而日益显著。实验结果表明，量子力学效应能够导致开启电......
研究了超薄栅氧MOS器件的直接隧穿（direct tunneling,DT)电流模型问题。利用修正的WKB近似方法（modified WKB,MWKB)得到电子隧穿栅氧......
选择高密度液氦作为研究对象,采用F.H.Ree修正的WCA状态方程和改进的分子流体微扰变分统计理论（MCRSR）,并且考虑液氦体系低温量子力......
利用非平衡格林函数法处理开放边界条件的薛定谔方程,与泊松方程自洽求解,在实空间实现了对纳米量级双栅MOS器件的二维量子模拟。......
利用“局域化”的概念和二维泊松方程的解析解，建立了沟道方向上二维量子效应对阈电压的修正模型．基于密度梯度理论，建立了多晶硅栅内......
利用ISE 8.0的DESSIS,对多晶区量子力学效应进行了摸拟.结果表明,纳米级MOSFET多晶区内的量子效应不可忽略,且它对器件特性的影响......
简述了半经典理论方法在研究分子反应碰撞中的应用，并与量子的、经典的理论方法相比较，与实验相对照来讨论该方法优越性。并对Ｂａ＋ＣＨ３Ｂｒ体系开......
选择高密度液氦作为研究对象，采用F．H．Ree修正的WCA状态方程和改进的分子流体微扰变分统计理论（MCRSR），并且考虑液氦体系低温量子力学效......
在简述介观物理的发展背景之后,主要介绍了自20世纪90年代以来,介观电路量子力学效应研究的一些新进展.......
本文指出电磁矢势的一个明确的物理解释，即它可视为可与带电物质的动力动量交换的场动量．如标势差、力场E和B一样，矢势完全可以直接测......
先进燃料D-^3He聚变产生的高能带电粒子在本底等离子体中慢化时间的准确性直接影响到能量平衡和高能离子压强的计算结果。结果表明......
通过对无耗耦合含源介观电路的量子化和体系哈密顿量的对角化，计算了压缩真空态下和含源电路基态下电荷、电流的量子涨落。结果表明......
【正】 一、著作 1、《市场营销理论及实务》,刘长明主编,经济管理出版社1997年1月出版。 2、《现代企业:制度·经营·管......
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<正>摩擦是一种常见的物理现象,它广泛地发生在接触并发生相对运动的表面之间。据统计,发达国家每年因摩擦磨损导致机械部件失效而......
随着金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFETs)尺寸的不断缩小，当器件尺寸缩小至纳米尺度时，量子力学效应开始凸显并且显著改变了器......
