本文利用低压MOCVD方法生长得到了无裂纹的2.5nmAlGaN/GaN超晶格,并对其进行了三轴晶X射线衍射(TXRD)、x射线反射(XRR)、高分辨透......

研究了3D层的生长温度对蓝宝石图形化衬底上生长GaN性能的影响。采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)，在2英寸蓝宝石图形化衬底上......

采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长Ga As/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300μm×300μm台面,内电极压焊点面积为20μm×20μ......

采用金属有机物化学气相沉积法在c面蓝宝石衬底上生长了高质量的β-Ga2O3薄膜,并将样品分别在真空、氧气、氮气氛围下退火30 min,......

MOCVD金属有机物化学气相沉积法制备LED外延技术产生的尾气危害较大,需要进行处理才能排放。对现有的几种尾气处理技术进行分析,指......

MOCVD金属有机物化学气相沉积法制备LED外延技术产生的尾气危害较大,需要进行处理才能排放.本文对现有的化学法、物理法和生物法几......

GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器（Quantum Well Infrared Photodetectors，QWIP）是先进薄膜生长技术与微电子学相结合的新型红外探测器。......