从载流子在 MOS结构反型层内的经典分布和量子化后的子带结构出发 ,提出了经典的和量子化的表面有效态密度 (SL EDOS:Surface laye......

借助于 XPS分析技术 ,首次研究了 MOS结构栅 Si O2 中引入 N后的结键模式。结果表明 ,N主要以Si-N而非 Si-O-N结键形式存在于栅 Si......

寻找新的电阻效应，实现大的电阻变化率一直是物理学和材料学领域的一个研究热点。最近一期的《先进材料》（Advanced Materials；DOI：10．1......

借助于XPS分析技术，首次研究了MOS结构栅SiO2中引入N后的结键模式。结果表明，N主要以Si-N而非Si-O-N结键形式存在于栅SiO2中。含N M......

研究了薄膜全耗尽增强型SOI MOS器件阈值电压的解析模型,并采用计算机模拟,得出了硅膜掺杂浓度和厚度、正栅和背栅二氧化硅层厚度......

采用磁控溅射方法，在Si衬底上制备HfTaON高五栅介质，研究了A10N、HfON、TaON不同界面层对MOS器件电特性的影响。结果表明，HfTa0N／AlON......

美国《科学》杂志刊登了北京大学信息科学技术学院彭练矛和张志勇课题组在碳纳米管电子学领域取得的世界级突破：首次制备出5纳米栅......

本文在对p+ p p+结构薄膜全耗尽积累型SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在(27～300℃)宽温区高温......

提出了一种SOI新型MOS电容型电光调制器．与普通单一电容型MOS调制器相比，由三层栅氧化层形成的新型MOS电容型调制器提高了调制效率．模......

表面等离子激元(Surface plasmon polariton,SPP)作为一种沿着正/负介电常数材料界面传输的特殊电磁模式,往往被用于实现亚波长量......

随着MOS器件的尺寸越做越小,其辐照效应也随即发生改变,对于小尺寸器件的辐照效应研究也就占据了一个非常重要的位置.对一些器件几......

硅是间接禁带半导体,室温下发光效率很低,这严重限制了硅基光电集成技术的发展。因此,需要利用其它发光材料制备用于硅基光电集成......

高迁移率Ge沟道器件由于其较高而且更对称的载流子迁移率,成为未来互补型金属-氧化物-半导体(CMOS)器件极有潜力的候选材料.然而,......

讨论了在极端低温下,硅基半导体在器件级和电路级特性的研究进展。在器件级,分析了极端低温下体硅器件和SOI器件常规电学特性的异......

本文主要对微加速度计的信号检测电路进行了研究,并对电路模块进行了底层的分析和设计。主要研究和完成了以下几个方面的内容;(1)......

电容是集成电路的一个组成部分,由于MOS电容与CMOS工艺流程匹配,所以应用广泛。为了改善传统MOS电容值随电压特性的改变而变化的现......