陶瓷靶材相关论文
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透明导电薄膜是光电子器件中的一种关键性材料，在薄膜太阳能电池、平面显示、触摸屏等领域有着巨大的市场需求。随着透明导电薄膜技......
ZnS-SiO2陶瓷靶材是应用最为广泛的可擦写光盘介电层材料。在热等静压法生产ZnS-SiO2陶瓷靶材的过程中,黄点是常见的缺陷。黄点区......
氧化锡锑(ATO)是近年来发展起来的一种新型透明导电氧化物材料,其资源丰富、价格便宜、无毒无污染,而且具有禁带宽度大(>3.6eV)、......
透明导电氧化物(TCO)薄膜是目前半导体材料领域研究热点之一。透明导电氧化物(TCO)薄膜因为具有在可见光区透明和电阻率低的特性，被......
采用常压固相烧结法,通过优化烧结工艺,制备出平整、组织均匀、致密的ZAO靶材.研究了掺杂含量、烧结温度对陶瓷靶材微观结构和性能......
用化学共沉淀法制备了铟锡氧化物（ＩＴＯ）复合粉末。粉末经冷等静压成型后进行热等静压致密化。热等静压时采用碳钢作包套，采用铜箔作隔层。......
采用传统的固相烧结技术制备了Nb2O5掺杂ZnO陶瓷靶材,研究了不同烧结温度、Nb2O5掺杂量对NZO靶材的电学性能、相对密度、抗弯强度......
利用射频磁控溅射法采用氧化锌铝（98%ZnO＋2%Al2O3）为靶材在普通载玻片上制备了ZAO（ZnO：Al）薄膜,研究了衬底温度对薄膜晶体结构,电学和光......
用传统常压固相烧结法,制备掺杂氧化镁的氧化锌陶瓷靶材,研究不同MgO含量及烧结温度对MgxZn1-xO陶瓷靶材的微观结构、力学性能、致......
采用固相法制备了高性能的Pb（Zr0.54Ti0.46）O3压电陶瓷靶材。通过调整Sr掺杂比例,获得高性能的压电陶瓷配方,以高性能锆钛酸铅（PZT）粉......
采用放电等离子体(SPS)烧结制备了Nb掺杂TiO2（NTO）陶瓷靶材，运用X射线衍射分析、扫描电子显微镜、四探针测试仪等对NTO陶瓷靶材样品的......
对ITO商业复合粉末应用爆炸冲击方法压实烧结,并对样品进行了XRD和ESM检测.通过粉末和压实后样品的XRD图及SEM照片的比较,发现在爆......
透明导电氧化物材料（Transparent Conductive Oxides,TCOs）由于具有高达105S·cm-1的电导率,可见光区域具有80%以上的透过率而在......
采用传统的常压固相烧结方法制备了Li3PO4陶瓷靶材，研究了烧结温度对Li3PO4陶瓷靶材的微观结构力学性能、致密度的影响。通过XRD测......
通过爆炸压实烧结纳米ITO粉末制备了ITO陶瓷靶材,结果表明爆炸冲击压实在靶材的后续烧结密实过程中起到了促进作用,它与常规的加压......
用热等静压法烧结制备了高导电性ZAO(铝掺杂氧化锌)陶瓷靶材,并用直流磁控溅射法制备出ZAO透明导电薄膜.靶材的致密度达98.7%,电阻......
IGZO半导体有源沟道层材料,由于其优异的光、电学性能,使其成为继氢化非晶硅、低温多晶硅之后发展起来的最具应用前景的氧化物有源......
氧化物陶瓷靶材是一种关键性的基材镀膜材料,其结构向高密度、大尺寸、管状、异型、均匀方向发展,这些结构特点对材料成型技术提出......
纯相、高致密度、结晶良好的陶瓷靶材是物理气相沉积薄膜的前提。采用热压烧结方法制备钛酸铋（Bi4Ti3O12）陶瓷靶材,重点研究了制备工......
以硫化镉（CdS）为主要原料,氯化镉（CdCl2）为助熔剂,采用干压成型、真空烧结的方式制备CdS陶瓷靶材.探讨了原料性质、烧结温度、CdCl2添......
全固态薄膜锂电池利用固态电解质替代传统电解液，属于新一代的锂离子电池，因体小质轻、高比容、高功率密度、低自放电率、优异充放电......
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以ZnO、Al2O3粉体为原料,采用常压烧结方法制备高导电性Al：ZnO（AZO）陶瓷靶材,并系统研究了不同的成型压力、烧结工艺及其烧结温度对靶......
溶胶-凝胶方法制备的ZnO和Al2O3混合粉末经冷压预成型加真空低压烧结，制备了高致密度（相对密度99％）、低成本的ZAO陶瓷靶材。研究了ZAO......
为了获得高质量的SnO2薄膜,我们需要制备高密度、高导电的优质SnO2靶材。这里以分析纯的SnO2、Sb2O5粉体为制备原料,采用冷等静压......
进入21世纪后,城市化建设进入高速发展期,中国电影创作者们的目光也纷纷转向城市空间的日新月异,废墟作为常见的城市化产物,顺势成......
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