靶电压相关论文
近年来,以集成电路为主要方向的半导体相关产业得到了较快的发展。集成电路电路技术的进步离不开半导体制造工艺的逐步改进,而磁控......
反应溅射是制造化合物薄膜最通用的一种技术,至关重要的是靶由金属模式过渡到氧化物模式的临界条件。我们研究了Al-O2反应溅射过程......
本文通过改变磁控溅射气体放电条件，首先在直流条件与脉冲条件下不同沉积时间内制备了纯Cr镀层，以此来讨论不同放电条件对镀层厚度均......
采用直流射频耦合磁控溅射法结合线棒刮涂法在玻璃衬底上室温生长微纳结构铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜,底层AZO薄膜射频功率占比从50％调......
反应溅射是制造化合物薄膜最通用的一种技术,至关重要的是靶由金属模式过渡到氧化物模式的临界条件.我们研究了Al-O2反应溅射过程......
用磁控溅射法制备ZnO∶Al透明导电膜时,降低靶电压可以减少溅射等离子体中被靶背反射回的中性离子和负氧离子对基片的轰击,提高薄......
反应溅射是制造化合物薄膜最通用的一种技术，至关重要的是靶由金属模式过渡到氧化物模式的临界条件。我们研究了Al-O2反应溅射过程......
选择具有不同溅射产额的靶材料(Cu,Cr,Mo,Ti,V和C),研究了其高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)放电靶电流波形随靶电压的演化行为.发现所......
独立设计研制了新型两段式双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射电源,本电源具备3种工作模式:(1)传统高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)放电模式......
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