4H碳化硅相关论文
研磨作为4H碳化硅（4H-SiC）晶片加工的重要工序之一，对4H-SiC衬底晶圆的质量具有重要影响。本文研究了金刚石磨料形貌和分散介质对4H-S......
4H碳化硅（4H-SiC）单晶具有禁带宽度大、载流子迁移率高、热导率高和稳定性良好等优异特性，在高功率电力电子、射频/微波电子和量子信......
连续的超短脉冲激光是分子动力学探测的重要光源[1].高功率的超短脉冲激光经过非线性光学介质,由于介质在强激光场下各种非线性效......
本文介绍制作4H-SiC MESFET器件中的总栅宽1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET管.......
本论文针对S波段1mm、3.6mm、9mm、20mm多种大栅宽4H-SiC MESFET功率管的版图设计、制作工艺和微波性能进行研究及比较.采用半绝缘......
报告了4H-SiC MESFET的研制.通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制成单栅宽120 μm n沟道4H-SiC MESFE......
报道了一种适于模拟n沟4H-SiC MOSFET直流I-V特性的整体模型.该模型充分考虑了常温下SiC中杂质不完全离化以及界面态电荷在禁带中......
高温热氧化法在4H-SiC（0001）晶面上生成SiO2氧化膜,采用湿氧二次氧化（wet-ROA）工艺对样品进行处理,通过测量SiCMOS结构界面电学特性,发......
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基（JBS）二极管,耐压达到1200V,封装的器件电流室温达到5A（正向压降2.1V）。通过在不同......
对在76.2 mm 4H-SiC半绝缘衬底上研制的SiC MESFET进行了高温工作寿命试验,试验结果表明采用Au/Ti/欧姆接触结构的器件在结温275℃......
介绍了离子注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω.cm2;同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的......
研制了4H-SiC MESFET 1mm多栅器件.通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制作出单栅宽100μm,总栅宽1mm,......
针对极端环境下耐辐照半导体核探测器的研制需求，采用耐高温、耐辐照的4H碳化硅（4HSiC）宽禁带材料制成肖特基二极管，研究了该探测器对2......
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅肖特基（SBD）二极管,耐压超过600 V。正向压降为1.6 V时,器件电流达到30A。作为IGBT续流二极管......
在4H-SiC MESFET微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和......
用沟槽和离子注入方法在自主外延的4H导通型碳化硅晶圆上研制了垂直沟道结型场效应晶体管（VJFET）。在栅电压VG=-10 V时阻断电压达到1......
根据光电晶体管的物理机理和SiC材料参数,建立了4H-SiC紫外光电晶体管的数值模型,利用Silvco软件对其I-V特性和光谱响应等特性进行......
