CDZNTE相关论文
碲镉汞(Hg1-yCdyTe,HgCdTe)是制备高性能红外探测器的优良材料,在气象预报、资源探测和天文观测等领域中有重要的应用。碲锌镉(Cd1......
Numerical Simulation of the Multicomponent Mass Transfer during Bridgman Growth of CdZnTe Crystal Us
To reveal the complicated mechanism of the multicomponent mass transfer during the growth of ternary compound semiconduc......
采用CdZn作退火源,对Bridgman法生长获得的CdZnTe晶片进行了退火处理.测试结果表明,退火后,晶片的成分分布更均匀,结晶质量得到提......
CdZnTe是一种性能优异的直接禁带半导体材料,具有直接跃迁能带结构的功能,改变Zn的百分比x,会有不同的用途。它具有如下优异性能：对......
CdZnTe(CZT)晶体是一种性能优异的室温半导体辐射探测器材料，具有高的电阻率、禁带宽度大、平均原子序数高、吸收系数大的特点.CZT......
宽禁带半导体材料CdZnTe(CZT)因其高的平均原子序数、高电阻率、良好的载流子传输性能、以及室温下性能优良等优点，已经广泛运用于......
近二十年来，碲锌镉(Cd1-xZnxTe)晶体因其较大且可变的禁带宽度、高的平均原子序数、优异的载流子运输性能等优点被用来制备X射线探......
CdZnTe(CZT)晶体被认为是目前最理想的室温半导体辐射探测器材料之一。生长态CZT晶体中缺陷较多，通常需要采用退火处理对缺陷进行调......
本文介绍了碘化汞作为辐射探测器的一些基本性能研究,包括电性能,能谱测量,温度性能等.10mm*10m*1.2m的平面电极HgI2探测器对241Am......
碲锌镉(CZT)晶体由于原子序数高、禁带宽、密度大,制成低能γ射线和X射线探测器不需液氮冷却就能得到很好的能量分辨率,且有相当高......
碲锌镉阵列探测器是近年来迅速发展的新型半导体探测器,具有高空间分辨率、高能量分辨率和可室温下工作的特点.本文介绍了碲锌镉晶......
红外光热吸收效应作为一种无损伤非接触的检测技术, 已经被广泛用于硅等半导体材料中的微缺陷表征分析.采用光热吸收技术对碲锌镉......
HgCdTe材料的表面缺陷是造成探测器性能下降的主要原因之一.采用聚焦离子束(Focused Ion Beam,FIB)、扫描电子显微镜(Scanning Ele......
简要介绍了CdTe、CdZnTe核辐射探测器的种类、结构和制备的平面型、电容弗里希栅型、像素线性阵列结构等CdZnTe核辐射探测器对Am59......
生长态的CdZnTe晶体内常常存在各种缺陷,包括点缺陷、位错、Te沉淀相和Zn的成分不均匀等。缺陷的大量存在使晶片不能满足作HgCdTe......
Numerical simulations of flow in the melt(CdZnTe) with different conditions are conducted using the finite-difference me......
为了了解勾形磁场对CdZnTe晶体生长质量的影响,利用有限元法对坩埚内的热量和动量传递过程进行了全局数值模拟。假定熔体和气相中......
为掌握地面条件下分离结晶过程中熔体内部的流动规律,采用有限差分法对分离结晶生长CdZnTe晶体熔体内热毛细-浮力对流作了三维数值......
采用改进的垂直布里奇曼生长法生长CdZnTe(CZT)单晶。生长完成后,选取了10~60 K/h不同速率降温处理。采用红外透射显微镜和多道能......
采用熔体法生长Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶时,不同的生长条件及热经历过程会导致生长态晶体材料中,占主导的点缺陷类型存在较大的差异,进......
Numerical Simulation of the Multicomponent Mass Transfer during Bridgman Growth of CdZnTe Crystal Us
To reveal the complicated mechanism of the multicomponent mass transfer during the growth of ternary compound semiconduc......
本组件包括一个长波红外透射晶体衬底如CdZnTe和集成的中波红外和长波红外线性探测器列阵。衬底具有供正反两侧照射的小面。两个......
1.在Cd和Zn结尾的{001}GaAs上两维分子束外延{001}CdTe(N.K.Dhar)2.在金属有机物汽相外延系统中利用Ge界面层在Si上生长CdTe的研......
3.n~+在p上和p在n上的光电二极管结构的比较让我们设想一种典型的高质量n~+在p上(或p在n上)的HgCdTe光电二极管结构(见图1),这种......
我们用红外透射光谱和X射线双晶衍射等，研究了退火对CdZnTe晶体质量的影响．结果表明，在Cd气氛中，700℃，退火5小时以上，能大量地去除晶片......
本文介绍我们在利用分子束外延技术生长HgCdTe材料方面对改进材料质量、重复性和柔软性所取得的进展。根据一定的判断标准,对超过1......
尝试采用布里奇曼法生长ＣｄＺｎＴｅ为原材料进行了高ｘ值（ｘ＝０．０４～０．６０）Ｃｄ１－ｘＺｎｘＴｅ晶体在压力控制下的物理气相输运（ＰＶＴ）生长研究。探讨了Ｃｄ源和ＣｄＺｎ合金温度对晶体电学性质的影响。......
提出并实现了用微米级空间分辨率的显微光致发光 (μ- PL )平面扫描谱对 Cd Zn Te(CZT)晶片的表面亚微米层特性研究 .在含缺陷区域......
PAPERSSi mulation of High Power Er/Yb Codoped Fiber Linear Cavity Lasers……WANGJian,L Fu-yun,ZHANG Shu-min,et al.(1-4)B......
对电阻率为 103~6 Ω.cm 的 In 掺杂 Cd0.9Zn0.1Te 晶片在 Te 气氛和 Cd/Zn 平衡蒸汽压下进行了热处理,对电阻率为 108~9 Ω.cm的......
In this paper, the design and analysis of a new low noise charge sensitive preamplifier for silicon strip, Si(Li), CdZnT......
设计了(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构,并用吸收光谱、室温光致发光谱和飞秒脉冲抽运-探测方法研究了该复合结构中的激子隧穿......
To evaluate the charge transport properties of as-grown high resistivity CdZnTe crystals doped with In/Al, the α partic......
Readout electronics,especially digital electronics,for two-element CdZnTe(CZT) detectors in parallel are developed.The p......
To observe the Te inclusions distribution along the axial direction of CdZnTe ingots,batches of as-grown detector-grade ......
Ⅱ-Ⅵ族材料具有少子寿命对位错不敏感、禁带宽度范围大及成本低等优点,分子束外延(MBE)生长的Si基Ⅱ-Ⅵ族材料可以作为新的材料体......
针对现有微透镜加工方法难以在红外探测器衬底材料CdZnTe上实现大孔径、深浮雕微透镜制备,提出了一种利用ICP-RIE干法刻蚀结合化学......
This paper presents a low power,area-efficient and radiation-hardened 12-bit 1 MS/s successive approximation register(SA......
基于CSMC 0.25μm BCD工艺,设计了一种高精度的可调阈值产生电路,采用一个7位的DAC和两个5位的DAC结合电阻分压产生8个输出电压,且......
近年来,碲锌镉(CdZnTe)材料制成的探测器已经成为研究热点,适当的接触特性已经成为提高探测器性能的关键问题.本文主要探讨了弱n型......
We report an experimental investigation on laser ablation and associated surface structuring of CdZnTe by femtosecond Ti......
近年来,CdZnTe薄膜探测器由于制备简单、厚度小、成本低、质量轻,还可以制备成大尺寸、多层和多功能叠层结构,愈来愈引起人们的广......
CdZnTe是一种性能优异的高能射线探测材料,在空间科学、核安全以及核医学等众多领域有广泛的应用前景.本文选取了3枚不同等级的CdZ......
