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40、160和1550 keV能量的He离子在室温下注入单晶Si样品到相同的剂量5×1016 ions/cm2,采用透射电子显微镜(TEM)研究了800℃退火1h......
室温下使用40 keV He离子注入单晶Si样品到剂量5×10^16 cm^-2,分别采用透射电子显微镜（TEM）、热解吸谱仪（THDS）、光致发光谱仪（PL）......
本文采用以蒙特卡罗方法为基础的SRIM软件模拟He离子注入对Ge中缺陷行为的影响,为高质量GOI(绝缘体上Ge)材料的制备提供理论指导。......
提出了一种采用低能量大剂量He离子注入局域寿命控制的高速LIGBT，并对其进行了实验研究．粒子辐照实验结果显示与常规的LIGBT相比较，该......
在反应堆运行过程中,核材料中的He通过核反应产生,并对材料性能的影响较大。通常认为,He会造成材料强度的上升,韧塑性的下降。制备......
