InP高电子迁移率晶体管(HEMT)相关论文
概述了太赫兹(THz)InP技术的优势、应用前景及美国的发展规划。重点对国外THz InP高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶体管(HB......
InGaAs HEMT器件和纳米加工技术的结合推动了InGaAs纳电子学的发展,在太赫兹和后CMOS逻辑电路两大领域产生重要影响。综述了InGaAs......
基于InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款F频段三倍频放大多功能芯片。将三倍频器与驱动放大器级联,实现了F频段三倍频放......