MOS集成电路相关论文
0327835一种用于大面积CMOS FPA的相关双采样保持电路[刊,中]/张智//半导体光电.—2003.24(4).—260-263(D2)提出了一种基于动态......
MOS集成电路氢敏感器件是一种新型的集成电路器件,它已引起人们的极大兴趣.本文从介绍这种新技术着手,然后谈及这种器件的稳定性问......
对金属-氧化物-半导体集成电路倒相器的直流电压传输特性和过渡特性进行了计算。为便于设计应用,结果用图表示出。讨论了传输门的......
前言 半导体器件制造工艺于六十年代末采用了离子注入工艺,它与扩散工艺相比较,具有掺杂均匀,浓度和深度容易控制,并能透过氧化层......
通用电路分析程序 SPICE-Ⅱ已经在国际上得到广泛的应用,并移植到国内某些计算机上。用该程序可以对电路进行非线性直流分析、非......
本文对离子注入杂质的热再分布过程提出了两种分析手段:其一是已知热再分布的工艺条件,求解扩散方程得到最终杂质分布的解析结果;......
随着MOS集成电路的集成度不断提高,器件特征尺寸的不断缩小,MOS器件中的短沟道效应、DIBL效应等二级物理效应日益严重,MOS器件按比例......
为了支持并利用有机发光二极管(OLED)显示技术,设计一种适用于96×64无源OLED(PM-OLED)的显示控制与驱动芯片。该芯片可以实现6.5......
<正> LM8365为大规模P-MOS数字时钟电路,功能较完善。其常规应用已为大家所熟悉,但一些功能未被充分开发与利用,现把这方面的应用......
本文是线切割机的一个数字程控设计,叙述了加工控制的基本原理,及结合国产CMOS集成电路所作的选择,可以与TTL电路兼容,设计控制精......
<正> IR2155是高压、高速MOS栅驱动集成电路,主要应用于高额开关电源、交流与直流电机驱动器、荧光灯交流电子镇流器及高频变换器......
提出一种用于汽车发电系统电压调节的新型电路结构,论述了该电路的基本工作原理,着重分析了电路中心中心处理单元的工作机理,对电路的......
本文利用恒定电压作用方法,测量硅栅MOS结构高场隧道电流的时间相关特性,研究了薄栅SiO_2的早期电导机制。认为在高场作用下,影响S......
本文提出了一种连续可调权值CMOS神经网络电路,神经元突触电路具有宽输入电压范围,且采用双电容存储模拟权值,延长了权值存储时间,。提高了......
本文介绍了MC34151/MC33151/MC34152/MC33152系列双路单片高速MOSFET驱动器,文中不但讨论了该系列MOSFET驱器的引脚排列、各引脚的名称......
基于神经网络和开关电容技术提出了一种行算法型CMOS模数转换器电路结构,文中详细分析了电路的工作原理,并采用通用电路模拟程序进行了仿......
MOS集成电路由于具有电路简单,功耗低,输出系数大,便于集成等优点,发展十迅速。尤其在大规模和超大规模CMOS集成组件方面,已经越来......
半绝缘多晶硅(SIPOS)是一种掺氧多晶硅,其电阻率一般在10~8~10~(10)Ω·cm范围。在半导体器件中,用它取代SiO_2作钝化膜具有良......
介绍一种薄栅氮化的工艺方法,可用于0.8-1.0μm级别的MOS集成电路及抗辐射MOS集成电路的工艺生产中。......
应用一种新颖的多输出端差动差分电流传送器(MDDCC)实现了连续时间电流模式跳耦结构的考尔滤波器,分析并模拟了所提出的滤波器的特......
<正> 早在六十年代末就有使用开关和电容来构成滤波器的思想,到1977年随着MOS集成技术的发展,开关电容滤波器的研究工作才全面展开......
综合E模型和1/E模型中两种不同的缺陷产生机制和逾渗理论,建立了栅氧化层击穿过程中缺陷产生和击穿触发的统一逾渗模型.该模型认为......
<正>随着MOS集成电路向深亚微米方向发展,栅氧化层的电场强度越来越高,与时间有关的介质击穿(TDDB)效应成了更突出的可靠性问题.对......
用微分电容法研究质子辐照HCl氧化物铝栅MOS结构诱导的界面陷阱,栅氧化层在1 160℃很干燥的、含0~10%HCl的气氛中热生长而成,质子辐......
从A/D转换基本规则出发,提出了一种电流模式MOSA/D转换神经网络,并对该网络进行了分析研究,导出确定权值的公式。网络权值易存贮且调节简单。用......
从实际工程需要出发,考虑非线性的特点,提出工程绝热计算原理,代替线性绝热计算原理.为克服交叉耦合绝热电路双相输入的缺点,提出......
本文介绍了MOS集成电路的静电击穿机理,提出了在MOS集成电路生产过程中的一些防静电措施。......
本文介绍一种把器件和工艺设计参数与具体的电路应用联系起来的分层结构,定出了这种结构所用的功能电路块的完整的清单,给出了这种......
本文研究了MOSFET的电离辐照效应,给出了辐照在MOSFET栅介质中引起氧化物电荷对阈电压的贡献与辐照剂量和栅偏置电场的相互依赖关......
本文提出了一种电流模式4-bit可调权值模拟神经元电路,权值易存贮而且精度高。该电路可扩展为8-bit等多值分立权的神经元电路。文章扼要分析了......
重点论述了ESD失效模式失效机理和MOS集成电路ESD保护电路。...
LS7534和LS7535是白炽灯亮度控制MOS集成电路,LS7534/LS7535通过控制与灯串联在一起的三端双向晶闸管的点火(触发)角控制灯的亮度.......
本文介绍一种应用MOS集成电路测量可逆电池电动势的新方法。应用该原理与方法,不但更新了传统的测量原理与方法,提高了测量的精度,而......
提出一种用于汽车发电系统电压调节的新型电路结构.论述了该电路的基本工作原理,着重分析了电路中中心处理单元的工作机理.对电路的集......