PZT铁电薄膜相关论文
铁电随机存储器(FRAM)是利用铁电材料的剩余极化双稳态特点实现存储,具有读写速度快、低功耗、抗辐射性能好等特点,在汽车电子、航......
由于锆钛酸铅（PZT）铁电薄膜具有剩余极化大、开关速度快,并且在外部电场中可以保持极化状态的特性,已广泛应用于非易失性铁电随机存......
PZT铁电薄膜在微电子和微电子机械系统(MEMS)技术领域有着重要的和潜在的应用.在加工基于PZT薄膜的各种MEMS器件过程中,PZT薄膜的......
铁电材料由于具有铁电特性和压电特性而在信息储存、通信、导航、精密测量、机械等众多领域得到广泛的应用。随着微电子技术和器件......
铁电薄膜作为铁电材料一种极为重要的形态，具有非常特殊的铁电性、压电性、光电效应、热释电效应、光折变等一系列重要的特性和性能......
铁电薄膜因其具有独特的铁电性、压电性、介电性、热释电性以及非线性光学等性能,在现代微电子、微机电系统（MEMS）、信息存储等方面......
铁电薄膜具有的铁电性、压电性、介电性、热释电性、电光效应,使得铁电薄膜器件已经得到了广泛的应用,如:铁电存储器、压电传感器......
铁电材料因其具有铁电、压电、热释电等特性而在信息储存、通信、导航、精密测量、机械等众多领域得到广泛的应用。随着微电子技术......
用高分辨透射电镜等手段研究了溶胶 -凝胶 (Sol- Gel)工艺制备的硅基 Pb(Zr,Ti) O3 (PZT)铁电薄膜 ,发现在 PZT的上表面生成了 Si ......
实验采用射频磁控溅射工艺,在较低的衬底温度(370℃)、纯Ar气氛中和在(111)Pt/Ti/S iO2/S i衬底上用陶瓷靶Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT......
选用不同浓度的Pb(Zr0·52Ti0·48)O3溶胶,用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上沉积一层厚度不同的Pb(Zr0·52Ti0·48)O3(PZT52)过渡......
采用射频磁控溅射（RF Magnetron Sputtering）工艺任Si片上分别制备Pt／Ti和LaNiO3（LNO）底电极，然后在不同的底电极上沉积PbZr0.52Ti0.48O3......
利用磁控溅射方法在Si（001）基片上制备Ti/Pt底电极,其厚度大概分别为20、100 nm,其中Ti电极作为缓冲层,随后在上面溅射PZT铁电薄膜.......
以射频(RF)磁控溅射法分别在Si(111)和Pt(111)/Ti/SiO2/Si基底上溅射沉积LaNiO3(LNO)薄膜电极,沉积过程中基底温度为370℃,然后对......
用基于多普勒频移和相位差原理的LDV(Laser Doppler Velocimeter)技术研究了溶胶-电雾化系统中荷电雾滴的轴向速度及其分布,并分析......
在SiO2/Si基片上采用直流对靶溅射技术制备出Pt/Ti底电极;应用射频磁控溅射方法,利用快速热处理(RTA)工艺,制备出了具有良好铁电性......
采用溶胶-凝胶法（Sol-Gel）在n型GaN衬底上制备了PZT铁电薄膜及其相应的金属-铁电体-半导体（MFS）结构,测量了该MFS结构的C-V特性,从理论......
利用射频溅射工艺，在低阻硅P—Si（111）基片上分别制备Pb（Zr0.52Ti0.48）O3（PZT）和PZT／LaNiO3（LNO）薄膜，样品在大气中进行650℃／15min后热退火处......
通过傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、1H和13C核磁共振波谱(NMR)对制备PZT铁电薄膜的Sol-Gel化学反应过程进行了分析.结果表明,采用硝酸......
具有ABO3型钙钛矿结构的Pb（ZrxTi1-x）O3（PZT）展示出良好的铁电极化性能,是使用最广的铁电材料.然而,在将它应用于铁电存储时,PZT薄膜遭......
采用射频磁控溅射工艺, 制备了三周期铁电超晶格 [PZT/ LNO]3/ Si. 对周期结构样品的结晶取向、 表面形貌、 电滞回线、 反射光谱......
通过醋酸铅、硝酸锆、钛酸丁酯分别制备独立稳定的前驱单体,采用Sol-Gel反提拉涂膜技术在基片Pt/Ti/SiO2/Si上制备PZT铁电薄膜.本......
钙钛矿型铁电薄膜由于在非易失存储器方面的应用而受到广泛研究，但疲劳问题是影响其应用的主要障碍。简要综述了近年来国外在钙钛矿......
用溶胶－凝胶法制备ＰＺＴ铁电薄膜。以Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ为底电极，Ａｕ为上电极，形成金属－铁电薄膜－金属结构的铁电电容器。研究电极对ＰＺＴ铁电薄膜结构和电性能的影响，实......
以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,通过在Pt/Ti/SiO2/Si......
用平均模型确定了多晶PZT铁电薄膜的有效模量，结果表明晶粒的取向程度对薄膜的压电常数和介电常数有重要的影响，不同的取向因子对应......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
应用基于激光多普勒技术的微小形变分析方法,并引入数字锁相技术,成功实现了PZT(Pb(Zr,Ti)O3)铁电薄膜的压电性能测试.对商用压电......
在DSP上实现的数字锁相测试系统,采用数字锁相算法来完成对信号的锁相测试.基于该系统开发出了简单、可靠、可调性好并具有较高精......
该文采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PZT和PZT/PTO两种结构的铁电薄膜,通过PTO种子层调控PZT薄膜的微观结构......
采用溶胶-凝胶技术，在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上成功制备了沿（100）晶向强烈取向的Pb(Zr0.53，Ti0.47)O3铁电薄膜。通过X-ray衍射分析，在每层膜......
采用射频磁控溅射工艺在SiO2/Si衬底上成功制备了适用于PZT铁电薄膜底电极的180 nm厚、沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜.厚约50 nm的T......
在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过......
铁电存储器是将铁电薄膜与传统的硅基半导体集成的新一代可擦写随机存储器，具有非易失、低功耗、高速读写、长寿命和抗辐照等优点，被......
近年来,紫外探测技术在军民两方面的应用都得到了广泛的发展。固体探测器的材料具有较大的禁带宽度,而且可以有选择性地工作在紫外......
