用Ｓｉ＋／Ｂ＋、Ａｒ＋／Ｂ＋双注入结合快速热退火技术制备出了较浅的ｐ＋ｎ结，用四探针法、扩展电阻法、背散射沟道谱、二次离子质谱等测试分析手段研究了Ｓｉ＋或Ａｒ＋预非......