部分埋层缘衬底硅相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

部分埋层缘衬底硅相关论文

部分P/N埋层的高压SOI LDMOS研究

提出部分P/N型埋层（PBPL/PBNL)的高压SOILDMOS结构，并对其进行研究分析。在横向方向，部分硅埋层可以引入额外的电场尖峰，从而改善表面......

期刊

击穿电压导通电阻部分埋层缘衬底硅横向双扩散金属氧化物半导体 breakdown voltage on-resistance partial buried

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