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介绍了研究背景及意义、Hf掺杂In2O3的电学及结构等性能、在电池中的应用背景及意义。金属导电性+可见光范围的透明性、导电性能:可以通过控制掺杂浓度等实现从绝缘体、半导体到导体的转变,电导率正比于载流子浓度和载流子迁移率过渡金属。
过渡金属Hf掺杂氧化铟透明导电薄膜初步研究
【摘 要】
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介绍了研究背景及意义、Hf掺杂In2O3的电学及结构等性能、在电池中的应用背景及意义。金属导电性+可见光范围的透明性、导电性能:可以通过控制掺杂浓度等实现从绝缘体、半导体到导体的转变,电导率正比于载流子浓度和载流子迁移率过渡金属。
【机 构】
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中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室,中国科学院电工研究所,北京 100190;中国科学院大学,北京 100049
【出 处】
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2018 年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会
【发表日期】
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2018年11期
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