【摘 要】
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采用磁控溅射制备了FePt(50nm)和[FePt(2,3,5nm)/AlN(1nm)]膜,之后在550℃退火30min,研究了周期数(n)和AlN含量对[FePt/AlN]系列多层膜结构及磁学性能的影响.结果表明,多层膜的矫顽力在n=8时出现较大值;周期数的增大会引起晶粒的长大;AIN的加入不但可以抑制FePt粒子的长大,而且还能有效地降低了晶粒间交换耦合作用,并且AlN含量越大,晶粒间交换耦合
【机 构】
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山西师范大学化学与材料科学学院(山西临汾)
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采用磁控溅射制备了FePt(50nm)和[FePt(2,3,5nm)/AlN(1nm)]<,n>膜,之后在550℃退火30min,研究了周期数(n)和AlN含量对[FePt/AlN]<,n>系列多层膜结构及磁学性能的影响.结果表明,多层膜的矫顽力在n=8时出现较大值;周期数的增大会引起晶粒的长大;AIN的加入不但可以抑制FePt粒子的长大,而且还能有效地降低了晶粒间交换耦合作用,并且AlN含量越大,晶粒间交换耦合作用的程度越弱.
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