【摘 要】
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我们分别开展了2.3MeV20Ne8+离子和5.0MeV84K19+离子辐照GaN样品的实验.并对实验样品进行了高分辨XRD的分析。我们发现，随着这两种离子辐照剂量的增大，GaN高分辨XRD谱(0001)衍射峰的峰位出现了向小角侧的有规律的移动。并在较高剂量时衍射峰发生分裂。本文对衍射峰的峰位的移动、峰形的变化这些现象反映的辐照损伤机制进行了研究，并探讨了电子能损与核能损各自在晶格损伤中的作用。
【机 构】
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中国科学院近代物理研究所,兰州 730000 中国科学院研究生院,北京 100049 中国科学院近
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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我们分别开展了2.3MeV20Ne8+离子和5.0MeV84K19+离子辐照GaN样品的实验.并对实验样品进行了高分辨XRD的分析。我们发现，随着这两种离子辐照剂量的增大，GaN高分辨XRD谱(0001)衍射峰的峰位出现了向小角侧的有规律的移动。并在较高剂量时衍射峰发生分裂。本文对衍射峰的峰位的移动、峰形的变化这些现象反映的辐照损伤机制进行了研究，并探讨了电子能损与核能损各自在晶格损伤中的作用。
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