界面态密度相关论文
SiC MOSFET是电力电子器件的重要发展方向。但由于SiC MOSFET的界面处存在较高的界面态密度,导致器件的沟道迁移率较低,导通电阻较......
硅基CMOS器件按照摩尔定律已经持续等比缩小了几十年,其性能不断提升、成本不断降低,极大地推动了电子信息技术的发展。然而随着器......
本文研究了聚苯乙烯磺酸(PSS)有机薄膜与无机材料界面存储性能。实验结果表明了这种有机/无机界面中存在记忆存储效应,有望应用于......
鳍式场效应晶体管(FinFET)是目前半导体行业中16/14技术节点中的主流器件结构。然而,随着晶体管器件尺寸的不断缩小,硅基FinFET技术......
本文采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体对4H-SiC (0001)表面进行处理,并进一步研究了氢等离子体处理对SiO2/SiC界面态的影响。X射线......
本文利用氮氢混合等离子体处理SiO2/SiC界面,并借助于MOS 电容的I-V、C-V电学特性测试对氧化膜质量及界面电学特性进行评价。测试......
本文通过对相同界面态对三种纵向结构的HEMT器件可靠性的影响和不同界面态对同一器件直流跨导影响的仿真,比较常规型(HEMT)、赝型(......
碳化硅是第三代半导体材料,具有禁带宽度大,饱和漂移速度高,耐高压和耐高温以及抗辐射的优点,因此基于SiC的功率器件可以实现较小的导......
本文用光致发光谱(PL)结合俄欧电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS),首次研究了S2Cl2钝化的GaAs(100)表面.结果表明,PL强度较钝化前样品提高了将近两个数量级.钝化后的......
通过研究 ̄(60)Cor射线对MOSFET跨导的影响,定性描述了辐照栅偏置条件以及氧化物电荷积累和Si/SiO_2界面态密度增加分别与NMOSFET和PMOSFET的跨导衰降之间的依赖关系。试验......
研究了γ辐照感生Si/SiO2慢界面态的特性及其对高频C-V测试的影响.结果表明,辐照产生的慢界面态为界面态的0.3—0.8,分布在Si禁带中央以上的能级或呈现受......
通过研究60Coγ射线对MOSFET的线性特性和输出特性的影响,定性地描述了氧化物电荷积累和Si/SiO2界面态增加分别与P-MOSFET和N-MOSFET的迁移率μ退化、跨导gm下降以及输出......
在完成硅平面晶体管管芯和上部电极制备后,用低能量氩离子束进行背面轰击,能显著增大高频和超高频小功率晶体管的电流放大系数,提高特......
本文研究了MZOS结构的电学性质及热处理效应,并进行了X线衍射分析和电子能谱分析.发现适当温度下的氧退火处理对改善ZnO膜的C轴对称......
本文研究了固体C60和n型GaAs构成的异质结的电学特性,电流-电压测量结果表明这种接触具有相当理想的整流特性,其理想因子接近于1.电流......
在考虑了多晶/单晶之间界面氧化层的基础上,本文提出了一个新的多晶硅发射区双极晶体管发射区渡越时间的解析模型,用推导出的标志电荷......
超薄SiO2膜经快速热处理(RapidThermalProcesing——RTP)后,电特性得到了改善,本研究用超薄RTPSiO2膜制作MOS电容、h-NMOSFET中作栅介质层及FLOTOX-E2PROM中作隧道氧化层,取得了一些实验结果,从结果中可......
研究了注F加固PMOSFET的总剂量辐照响应特性和辐照后由氧化物电荷、界面态变化引起的阈电压漂移与时间、温度、偏置等退火条件的关......
本文研究SiGe/Si异质结构MOS器件栅介质制备技术,采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)方法低温制备电学特性优良的薄栅介质薄膜,并应用于SiGe/Si异质结构器件......
本文在已提出的综合解析模型基础上,引入各相关参数特别是多晶-单晶之间的界面态俘获截面与温度关系的实验结果,给出了分析PET电流增益与......
本文根据MOS器件亚阈区转移特性国数强收敛的特点,提出了一种直接利用MOS器件转移特性确定亚阈区表面势的新方法.并讨论了界面馅饼的......
为改善TiO2电容-压敏电阻器的非线性,文章通过添加少量La2O3,使其非线性系数得到提高,并对其原因进行了分析.结果表明,La2O3添加剂可提高材料晶界势垒高......
在分析热电子效应与辐射效应在MOSFET产生界面态关系的基础上,给出了采用普通电子直线加速器作辐射源来对MOS器件热电子退化效应进行研究的方......
本文研究一种“反程序”辐射加固工艺,将所有的高温处理过程放在栅氧化之前,并使栅氧化后续工艺低温化,在此基础上,采用“反程序”辐射......
采用PECVD技术,以TEOS为源,对In0.53Ga0.47As材料进行表面钝化,研究了SiO2/In0.53Ga0.47As的界面态,提出降低界面态密度的方法,使其降低到8.5×1010eV-1cm-2.
The surface passivation of In0.53Ga0......
对当前MOS器件中应用广泛的两种热载流子效应测试方法及其应用进行了详细论述.还对MOS器件的热载流子效应的参数提取进行了讨论
Two kind......
介绍了测定a-Si:HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a-SiNx:H薄膜淀积时反应气体NH3/SiH4流速比以及a-SiNx:H膜厚对a-Si:HTFT阈值电压......
建立了一套进行MOS结构Si/SiO2界面态电荷泵测量的测试系统,其发展的快速电荷泵技术可使界面态测量速度达到5次/秒.分析研究了泵电流与......
采用高频(1MHz)C-V测试和红外谱,研究了工艺参数对Xe激发真空紫外光(VUV)直接光CVDSiO2的SiO2/Si界面特性的影响。结果表明:衬底温度Ts对固定氧化物电荷密度ΔNot、慢界面......
本文建立了一套用于MOS电容热载流子损伤研究的自动测试分析系统,用高频和准静态C-V技术,分析研究了栅介质中F离子的引入所具有的抑制Fowler-Nordheim高场应......
用低能量氩离子束轰击肖特基势垒二极管芯片背面,能有效减小反向电流和理想因子,增高势垒高度和减小势垒电容.对于较大的轰击能量和束......
对含N薄栅MOS电容进行了60Coγ辐照和100℃恒温退火行为的分析研究,结果表明:栅介质中N的引入,能明显抑制辐射感生Si/SiO2界面态的产生,减少初始固定正电荷......
本文以电荷泵技术为测量手段,结合数值计算,提出了一种新的测量界面态横向分布的方法.与传统方法相比具有理论模型较完善、测量中不引......
以金刚石膜作为绝缘埋层, 利用金刚石膜上的薄层硅( S O D)技术, 制作 54 H C T03 C M O S/ S O D 结构的集成电路. 对该电路在辐照后的恢复特性进行研究. ......
表面钝化是Ⅲ-Ⅴ旅半导体工艺的难题之一,硫钝化技术是目前解决这一难题最有效的方法,文中综述了硫钝化技术在钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长......
本文介绍了OP-07双极运算放大器的60Coγ射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及60Coγ和电子辐射损伤在室温和100℃高温条件下的退火效应,揭示了双......
本文建立了AlGaAs/GaAsHEMT的二维量子模型,这个模型是基于在GaAs沟道中用自洽求解薛定谔方程和泊松方程.用二维数值模拟得到了HEMT沟道中横向电场和纵向电场......
提出利用深能级瞬态谱( D L T S) 技术研究 M N O S 结构中界面陷阱的分布,阐述并建立了 M N O S结构 D L T S 存储峰和界面态峰的解析理论,并给出区分......
本文利用高电子迁移率晶体管(HEMT)的直流输出分析模型,首次定量地分析了界面态对AlGaAs/GaAs HEMT 直流输出特性的影响.考虑界面态的作用,详细分析了不同界......
研究了工艺和添加剂对TiO2功能陶瓷材料性能的影响.发现提高烧结温度和延长保温时间有利于降低材料的压敏电压和使表观介电常数升高.当烧......