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利用等离子增强化学气相淀积(PECVD)技术制备a-Si:H/SiO<,2>多层膜,并采用脉冲激光诱导限制结晶的方法,对a-Si:H/SiO<,2>多层膜进行晶化.喇曼(Raman)散射谱的结果表明经过激光辐照后纳米硅颗粒在原始的a-Si:H子层形成,且尺寸可以精确控制.
a-Si:H/SiO多层膜中的脉冲激光诱导限制结晶
【摘 要】
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利用等离子增强化学气相淀积(PECVD)技术制备a-Si:H/SiO多层膜,并采用脉冲激光诱导限制结晶的方法,对a-Si:H/SiO多层膜进行晶化.喇曼(Raman)散射谱的结果表明经过激光辐照后纳米硅颗粒在原始的a-Si:H子层形成,且尺寸可以精确控制.
【机 构】
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南京大学物理系(江苏南京)
【出 处】
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第十二届华东六省一市物理学联合年会
【发表日期】
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2003年11期
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