磁电阻相关论文
有机铁电磁性隧道结(OMFTJs)的研究中涉及到自旋电子学、有机电子学和铁电学相关的材料、结构和其丰富的物理性质,吸引了国内外诸多......
具有ABO3结构的钙钛矿锰氧化物RE1-xTxMnO3 ( RE为稀土元素,T为碱土元素)由于其庞大的磁电阻效应和广阔的应用前景,成为十几年来的一......
本文用溶胶—凝胶法制备了:1.在La位掺杂有少量空位的系列多晶样品La0.7-xCa0.28Sr0.02MnO3(x=0.00-0.10);2.Sr离子掺杂的La0.77-xCa......
自旋器件有望实现量子信息存储、传感和计算,?是下一代数据存储和通信的理想器件.?与无机自旋器件相比,?有机自旋器件不仅可以实现......
本论文主要对非磁金属(NM)/铁磁半导体(FS)/铁磁半导体(FS)/非磁金属(NM)双铁磁半导体结(Double ferromagnetic semiconductor junctions,DF......
NiMn基Heusler合金作为铁磁性形状记忆合金具有磁、电、热、力等多种性质相耦合的特性,本文通过电弧熔炼法分别制得了Mn44.7Ni43.5......
以钙钛矿氧化物为代表的巨磁电阻材料,由于其庞磁电阻效应(CMR)和其丰富的物理现象如Jahn-Teller畸变,电荷轨道有序,相分离,各向异性......
学位
材料中的磁电输运现象不仅包含了丰富的物理,而且在信息存储、磁传感器等领域也具有广泛的应用前景,是人们研究的热点课题。本论文......
稀土-过渡族金属间化合物因其丰富的物理性质一直备受人们关注。这类化合物独特的磁性源自于稀土元素中部分填充的4f电子,这些电子......
近年来,随着人类迈入大规模信息和多媒体时代,人们对电子产品存储性能的要求越来越高,例如:大容量、高密度、快存取、非易失以及小......
采用磁控共溅射法制备了Co含量介于6.4at%~16.4at%的Co-C纳米复合薄膜。形貌观察表明,Co纳米颗粒均匀分散在C基体中,相邻Co颗粒被C基体较......
采用磁控溅对方法,在不同溅射气压下制备了具有巨磁电阻效应的Ni 20Fe20/cu金属多层膜。室温下,饱和磁电阻值随着Cu层厚叵的增加呈振......
本文初步研究了双钙钛矿型SrCrWO的磁性和输运性质.SrCrWO多晶在Ar气及真空气氛中经固相烧结而形成.X-射线衍射分析表明主相为SrCr......
随着微纳加工技术的发展,现在人们可以制作具有单畴形态的二维磁阻挫结构——用具有微纳米尺度的小磁条代替原子磁矩来制作人工自旋......
众所周知,磁性材料的磁电阻可以在1mT 的低磁场下达到 600%,而半导体材料的磁电阻虽然可以高达 10000%,但是需要几十mT 的较大的磁场,能......
碳基材料作为非均匀颗粒薄膜体系的母体具有以下优势:较长的自旋扩散长度、可调控的电学性质和独特的铁磁/碳界面特性,因此碳基磁......
以甲烷作为碳源,氨气作为氮源,利用化学气相沉积法制备出了高质量的氮掺杂石墨烯薄膜。将薄膜转移到SiO2基底上研究,利用光学显微镜、......
操纵畴壁运动由于其对于下一代逻辑和赛道存储(racetrack memory)自旋电子学器件[1]的研制具有重要意义,近年来引起了人们的广泛关......
钙钛矿结构稀土锰氧化物ReMnO3(Re代表稀土元素)因其显著磁电阻效应而广受关注1,这种基于Mn3+和Mn4+之间双交换作用的磁电阻的现象......
利用金属掩膜法,优化了制备磁性隧道结的实验和工艺条件,同时利用狭缝宽度为100μm的金属掩膜直接制备出室温磁电阻比值为41.5﹪的磁......
通过优化制备磁性隧道结的实验和光刻工艺条件,制备出具有室温高磁电阻和低电阻的高质量磁性隧道结,300℃退火前后其室温磁电阻比......
针对平膜状NM/FI/NM型双自旋过滤隧道结(DSFJ;此处NM和FI分别表示非磁电极和铁磁绝缘(半导)体层),计算了偏压V,FI垒高U,FI厚度d和F......
我们用掩膜法制备了FeCo/Al203/Co磁性隧道结,在室温下其制备的隧穿磁电阻为8.7﹪,经过200□的退火,磁电阻上升到13.8﹪;用TEM观察其结......
采用冷压法制备了半金属CrO导电颗粒和TiO绝缘颗粒组成的磁性颗粒复合体.研究了复合体系的电导、磁电阻与导电颗粒体积组分P的关系......
在常压和较低温度(1073K)下利用溶胶-凝胶法制备了成分为Ca(MnCu)MnO的化合物,X射线衍射图表明当x≤1.5时化合物呈单一钙钛矿相.所......
磁电阻(MR)效应的发现推动了现代信息技术的进一步发展,可应用于汽车电子、消费电子,生物传感器和生物芯片等领域。磁电阻效应一般......
用蒸镀法制备的Ag-Te多层膜,通过热处理得到了非磁性的Ag-Te薄膜。其在低温下有很大的负纵向磁电阻。在Ag-Te薄膜中出现电阻率和磁......
采用磁控溅射法制备了NiO顶部钉扎和底部钉扎的自旋阀.底部钉扎自旋阀的磁电阻值大约比顶部钉扎的要大30﹪,原因在于顶部钉扎自旋阀......
本论文以数值模拟及实验方法研究了软磁环状结构的磁化过程及其相关的磁电阻.由微磁学模拟的结果得知,翻转过程存在三种稳定态,磁......
本文采用自旋极化率P随温度的指数变化关系结合高阶隧穿模型拟合了经真空退火处理的Co0.1-C0.9复合薄膜的磁电阻随温度的变化......
反应本文利用传统固相反应技术制备了一系列多晶SrRu1-xMnxO3(0≤x≤1)样品。在4-300 K温度内通过超导量子干涉仪及物理性质测试系......
本文简单介绍了巨磁电阻(GMR)效应.在玻璃和4英寸Si片上用磁控溅射法,在高真空条件下,制备了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/MnIr/Ta......
用双带模型和自由电子近似研究了具有非磁金属夹层和覆盖层的磁性隧道结的电导和磁电阻。结果表明电导和隧道磁电阻(最大达叫103)都......
随着现代信息存储与通信技术的快速发展,人们希望新型的电子器件能兼具低功耗、非易失、高密度等优异性能,甚至能实现信息的存储、......
采用溶胶-凝胶法及微波法,成功合成了双钙钛矿磁电阻材料Sr2FeMoO6以及A位取代系列化合物,并用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)......
本文首先采用固相反应方法合成了纯相的多晶Sr2FeMoO6块体材料,进而通过机械球磨过程调制其晶界状态。研究晶界状态的改变对多晶Sr2......