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本文介绍用正交试验方法确定二氧化硅干法刻蚀工艺菜单.还介绍了用该工艺菜单进行刻蚀可得到良好的片内均匀性、片间均匀性及批间重复性.
用正交试验方法确定SiO2干法刻蚀菜单
【摘 要】
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本文介绍用正交试验方法确定二氧化硅干法刻蚀工艺菜单.还介绍了用该工艺菜单进行刻蚀可得到良好的片内均匀性、片间均匀性及批间重复性.
【机 构】
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清华大学微电子研究所,北京,100084
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
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2005年1期
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