Ge2Sb2Te5相关论文
手性结构在自然界中广泛存在,例如与人类生存息息相关的DNA分子和氨基酸。因此,探究手性结构的光学响应已经成为一个热点问题,并被......
相变存储器（Phase Change Memory,PCM）具有快速的读写能力、高存储密度以及良好的数据保持力,因此,它被认为是最有希望的下一代非易......
In the fabrication of phase change memory devices, high temperature thermal processes are inevitable.We investigate the ......
本文采用磁控射频溅射法制备Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb......
相变存储器是通过物质相变来实现信息存储的一种存储器,利用电能(热量)使相变材料在晶态(低阻)与非晶态(高阻)之间相互转换,实现信......
非线性纳米光学主要研究纳米结构或纳米材料的非线性光学效应,如双光子吸收、二次谐波（SHG）、三次谐波（THG）。特别是THG由于其独特的性......
硫系相变材料(PCM)在适当的热/光/电刺激的作用下能够在非晶相和结晶相之间快速且可逆的转化。它具有光学对比度大、非易失性、响......
采用射频磁控溅射方法制备了两种用于相变存储器的Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5相变薄膜材料,对其结构、电学输运性质和恒温下电阻随时间......
相变材料Ge2Sb2Te5由于其独特的光学和电学性质,在光学记录、数据存储等方面具有广泛的应用.在航空航天、安检扫描等一些特定环境......
随着计算机硬件和软件技术的发展以及计算理论的完善,计算机对材料结构和性质的模拟已经逐渐脱离对物化实验的依附,成为一门独立的......
Ge2Sb2Te5 film was deposited by RF magnetron sputtering on Si (100) substrate. The structure of amorphous and crystallin......
In this paper, the crystallization behaviour of amorphous Ge2Sb2Te5 thin films is investigated using differentialscannin......
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Novel Si3.5Sb2Te3 phase change material for phase change memory is prepared by sputtering of Si and Sb2Te3 alloy targets......
随着半导体技术节点的不断向前推进，特别是在40/32nm节点以下，相变存储器被认为最有可能成为新一代非挥发性存储器，然而目前相变存储......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
从相变存储器(phase change random access memory,PCRAM)的基本结构和工作原理出发,首先介绍了PCRAM的技术优势、面临的技术挑战......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用热压法制备Ge2Sb2Te5相变存储材料用靶材,研究了制备工艺对靶材微观结构与致密度的影响。结果表明:随保温时间的延长,靶材致密......
Ge2 Sb2 Te5相变光盘的反射率对比度和载噪比受初始化条件影响很大。研究表明 ,反射率对比度在转速比较低时随功率增加而增大 ,而......
通过反应溅射的方法,制备了N掺杂的Ge2Sb2Te5(NGST)薄膜,用作相变存储器的存储介质.研究表明,掺杂的N以GeN的形式存在,不仅束缚了G......
利用磁控溅射方法制备了Ge_1Sb_2Te_4和Ge_2Sb_2Te_5两种相变存贮材料的薄膜。原位X射线衍射(XRD)的结果表明,随着退火温度的升高,......
利用椭偏仪和光谱仪研究了结晶程度对 Ge2 Sb2 Te5相变薄膜光学常数的影响 .当初始化仪转速固定时 ,随激光功率的增加 ,折射率基本......
采用基于密度泛函理论的广义梯度近似方法研究了稳态六方petrov原子序列结构Ge2Sb2Te5的结构、电子和光学性质.计算所得的平衡态晶......
采用磁控溅射制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜.通过XRD以及四探针法研究薄膜在退火过程中的微结构演变以及电导率变化规律.通过电流-电压......
利用密度泛函理论对稳态六方Ge2Sb2Te5进行第一性原理计算,得到了其晶格常数、能带结构、电子态密度等相关性质.详细讨论了其成键......
The optical absorption properties of phase-change optical recording thin films subjected to various initialization condi......
用磁控溅射法制备了掺杂Sn的Ge2Sb2Te5相变材料薄膜,研究了Sn含量对结晶性能的影响.薄膜的X射线衍射(XRD)表明,热处理使薄膜发生了......
利用磁控溅射方法制备了Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5两种相变存贮材料的薄膜。原位X射线衍射（XRD）的结果表明，随着退火温度的升高，Ge1Sb2Te4......
利用射频磁控溅射法在室温下沉积了GST相变薄膜,利用XRD、AFM对其结构进行表征,原位XRD及DSC测试确定其结晶温度.（原位）XRD测试表明,......
采用射频磁控溅射法在室温下沉积了N-GST相变薄膜,利用原位XRD研究了其相变过程.结果表明：室温下沉积薄膜均为非晶态,且在室温～375℃......
研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时,制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响.主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况,......
利用椭偏仪和光谱仪研究了结晶程度对Ge2Sb2Te5相变薄膜光学常数的影响。当初始化仪转速固定时，随激光功率的增加，折射率基本随之减......
从电化学角度研究了Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中的作用,以及不同的pH值和H2O2浓度下的电化学特性.采用Solartron SI1287电化......
采用磁控射频溅射法制备了Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2T......
利用蓝绿激光对非晶态Ge2Sb2R5相变薄膜进行擦除性能的研究,分别用1000ns,500ns,100ns,60 ns脉宽的蓝绿激光进行实验.结果表明,一......
系统地介绍了硫系化合物随机存储器(C-RAM)的原理、相关材料、研究现状、特点及今后的发展趋势以及中科院上海微系统与信息技术研......
相变存储器（Phase Change Memory,PCM）的RESET电流是决定其功耗的最重要参数。基于相变材料Ge2Sb2Te5（GST）的PCM单元,不同的SET条件下......
研究了基于Ge2Sb2Te5的相变存储器单元的瞬态结晶过程,并通过高频示波器捕捉了瞬态结晶过程的电压波形,发现了在结晶过程中瞬态波......
首先综述了相变材料等离子体刻蚀技术的研究进展,然后讨论了影响相变材料等离子体刻蚀的主要工艺参数,如线圈功率、腔体气压、偏压......
相变存储器由于操作电压低,读取速度快,制造工艺简单且与成熟CMOS工艺兼容,被认为最有可能替代Flash成为主流非易失性存储器。相变......
采用0.18μm标准工艺制备出基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的相变存储器器件单元,利用自行设计搭建的电学测试系统研究了其存储性能......
随着便携式电子产品的快速发展,市场对不挥发存储器的需求急剧增长。作为目前主流的不挥发存储技术,闪存在商业上取得了巨大的成功......
