VDMOSFETs宽带功率放大器研究

来源 :第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dennaxu
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本文介绍了国家高频功率VDMOS器件的一个实际应用的例子,并研制出实用化的功率放大器,对国产新型功率器件-VDMOS的性能和推广应用进行了有益的探索.
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光谱响应度和量子效率是光电探测器的重要参数.在研制大面积PIN二极管光电探测器过程中,需要及时测试,以调整工艺.对比对法测量探测器的量子效率是有一种实用有效的方法.本文介绍了PIN光探测器量子效率的测试方法及结果.
本文主要介绍了采用“离子注入”和低温热处理等工艺研制高性能大面积PIN器件技术以及探测器的主要电学特性.高阻N型硅片上有源区面积为10×10mm和16×17mm的两种二极管实验样品在全耗尽偏置电压下(Vd=70V),环境温度为25℃时的暗电流分别为1.31nA和2.96NnA,暗电流达到≤5nA的性能指标,端电容分别为≤50pF和≤120pF.器件的电学性能良好,在量能器等应用系统中是一种理想的光
本文对氮化H-O合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究,将H-O合成和氮氧化栅两种技术结合起来,充分利用两者的优点制成三层结构的Sandwich栅,对比了常规氧化、H-O合成氧化和氮化H-O合成氧化三种方式及不同退火条件得出:氮化H-O合成氧化方法抗辐照性能最佳、采用硅化物工艺+快速热退火是未来抗辐照工艺发展的趋势;并对氮化H-O合成栅的抗辐照机理进行了研究.
在本文中比较了三种利用高频C-V曲线提取MOS结构中氧化层厚度的方法,描述了每种方法的优缺点,并且利用这三种方法提取了现有的样品(MOS电容器)的氧化层厚度.
在SiO可靠性研究中激活能(Ea)是一个关键的可靠性参数,要准确确定Em值,并进行可靠性寿命预测,关键在于确定Ea的转变温度Tc,进而确定出Eae的值,用这个低温区的击穿激活能Eae值外推出工作温度下的SiO寿命,可以提供可靠的预测结果.
本文采用一种新的方法计算双极器件中原位掺B的SiGe锗硅基区禁带变窄量.这种方法利用V做自变量,在室温和液氮温度下测量器件的Gummel图,获得两条V~lnI直线,求解交点可以计算出基区的禁带变窄量ΔE.用这种方法测试的锗硅基区禁带变窄量的151meV,这个测量结果与文献中的数值符合得较好.
随着微电子工艺技术的不断进步,基于LOCOS的隔离技术已经不适应深亚微米工艺的要求,浅沟槽隔离(STI)技术由于所具有的几乎为零的场侵蚀,更好的平坦性和抗锁定性能以及低的结电容,已成为深亚微米工艺的主流隔离技术.本文地STI技术中的浅沟槽的形成进行了研究,获得了能满足STI隔离技术要求的浅沟槽.
给电镀液中加入适当的整平剂,同时采用了三步电流法,成功的将工业镀铜技术应用于ULSI铜互连线技术中,实现了对高宽比为1μm:0.6μm的刻孔的无空洞、无裂缝填充.所镀铜膜的电阻率为2.0μΩ·cm,X衍射的分析结果显示出的Cu(111)的致密结构非常有利于互连线技术中高抗电迁移性要求.
本文介绍一种利用电荷恢复逻辑的Wallace-tree八位乘法器的设计.乘法的基本逻辑为我们自己提出的一种电荷恢复逻辑DSCRL(Dual-Swing Charge-Recovery Logic)电路单元.文中讨论了适于DSCRL电路实现的乘法器逻辑结构并给出了乘法器的电路.
我们所设计的液晶显示驱动电路包含三个信号输出电路,136个高压液晶显示驱动信号,即16个COMMON和120个SEGMENT,它与MCU有并行的接口能力,具有广泛的应用价值.