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超高温陶瓷(Ultra-high Temperature Ceramics,UHTCs)指熔点在3000℃以上,且能在高温环境以及反应气氛中保持物理和化学稳定性的陶......
采用金属辅助化学刻蚀方法结合纳米球模板技术制备出了有序硅纳米线阵列。硅纳米线阵列经过高温热氧化形成一定厚度的氧化层,再使......
针对大面阵CCD成像黑缺陷多的特点,从机理和制作工艺上进行了分析研究。结果表明,CCD成像黑缺陷主要由光刻工艺缺陷引起。光刻LOCO......
多晶硅表面对于电荷耦合器件(CCD)的制作非常重要。采用扫描电子显微镜(SEM)和电学分析技术研究了低压化学气相(LPCVD)法淀积的多......
本文介绍了在研制16位微处理机Z8000CPU电路中,采用工艺模拟与实测相结合的方法,研究E/D MOS阈值电压与硼、砷注入能量和剂量间的......
利用恒温氧化试验,研究了不同总氧含量的Fe-36Ni因瓦合金在1000℃和1100℃下的高温氧化行为,通过SEM分析了两种试样在不同温度下氧......
利用同步热分析仪研究了2%(体积分数)残氧气氛下硅对弹簧钢氧化速率的影响。实验表明,硅元素在1 170℃以下对氧化有阻碍作用,而1 2......
采用乙炔真空渗碳方式对服役6 a的乙烯裂解炉管合金Cr35Ni45Nb进行了加速渗碳处理,并利用SEM,XRD及定量电子探针等手段对渗碳前后......
用Mohan方法计算出RF平面螺旋电感电感值,然后在其可扩展模型上对其进行计算机模拟,探讨了在高频域内电感品质因素变化的规律,得出......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
对最基本的场板结构,通过理论推导,深入讨论了场板下氧化层厚度与击穿电压、氧化层玷污所带正电荷电量之间的关系;又给出了场板长......
研究了不同氧化层厚度的两种国产NPN双极晶体管在高低剂量率下的辐射效应和退火特性.结果显示,随总剂量的增加,晶体管基极电流增大......
HVOF 技术扔的 Ni (Cr )-TiB2 涂层的氧化行为在 800， 900 和 1 点被学习 000 ?????????????????軱...
本文以华光阳图型PS版为研究对象,以论证涂层测厚仪测量感光层和氧化层厚度是科学性和可行性为前提,以正交实验法确定晒版最佳工艺......
采用工业试验法研究轧后冷却工艺对70钢盘条氧化层厚度的影响。结果表明,相同风冷条件下,吐丝温度由890℃降至850℃时,盘条氧化层......
文章以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系.重点讨论了N沟道VDMOSFET的P-体扩散区结深Xjp......
采用TEM、ESEM及元素分析对25-600 nm的铝粉进行了表征,用FastStone软件对TEM照片进行了处理,提出了纳米铝粉氧化层厚度计算公式,......
通过对热轧钢板的氧化层形成机制及影响因素的分析研究。确定了汽车大梁用热轧黑皮表面钢板的成分及热轧工艺制度，研究了钢板氧化层......
U-MOSFET是在LDMOS和VDMOS基础上发展起来的一种功率半导体器件,具有大电流和低导通电阻、无少子存储效应、开关速度快、可工作于......
引言近两年来,金属磁粉的应用又有了新的进展。家庭用Hi 8 MP和广播用高清析度1/2英寸盒式录像磁带,线密度62.9KBPI的软磁盘40 KBP......
测定了3种不同氧化层厚度的氘化钛在873～1073K范围内的热解吸反应速率常数,得到673K下氧化5、2h的氘化钛和未经氧化处理的氘化钛热......
本文用XPS分析紫外光激发氧化反应后砷化镓表面的化学组成和氧化层厚度.发现,紫外光激发下,GaAs表面生成氧化膜,同时清除表面污染......
氮化铝陶瓷直接覆铜基板具有优良的导电和导热性能,在大功率、高密度封装领域具有广泛的应用前景。本文对直接覆铜法制备AlN陶瓷覆......
为研究热氧化环境对微米铝镁合金粉活性的影响,研究了雾化微米铝镁合金粉71℃热氧化作用下粒度及铝镁比对活性影响的变化规律,同时......
为了制定“技术报告”类国际标准ISOTR22335，2005年2月ISO／TC201技术委员会委托美国国家标准学会负责召集工作小组，小组成员由中国、......
一、前言银氧化镉材料早在二十世纪三十年代就已试制出来,并立即应用于电器中作电触头。至今,这种触头材料仍广泛地应用于低压电......
用pH=7±O.05的H_2O_2-NH_4OH溶液,在5±1℃,对晶句是(100)的高阻或浓度为2×10~(13)cm~(-3)的n型GaAs衬底进行腐蚀试验.发现腐蚀......
采用电子束蒸发制备金属锡薄膜 ,将其在 2 5 0— 40 0℃温度范围内进行等温氧化 ,研究锡薄膜的热氧化动力学机制 .采用台阶仪、扫......
超大规模集成电路(VLSI)的可靠性与集成度的增加是相互联系着的。集成度的提高,芯片增大、器件尺寸按比例缩小,采用革新电路和多层......
本文叙述了双层多晶硅 VLSI 器件的不同氧化比率,及在750—900℃温度范围内重掺杂多晶硅的干 O2氧化特性。这些不同的效应在800℃......
<正> 磷化铟和与它有关的三元四元合金是目前认为作光电及微波器件比较有前途的材料.上述一些器件的制备工艺虽尚未成熟,但已发现......
本文对日益广泛采用的各种平面终端技术作用原理、设计方法及目前的发展水平作了较系统的介绍,并简要地比较了它们的优缺点、适用......
本文给出了硅在氧/三氯乙烯（TCE）混和物（0～1％）中,在900、1000和1100℃下热氧化的研究结果。通过对只产生Cl2作为反应化合物的O2/CCl4系统......
研究了钢在200—900℃和76毫米汞柱氧压下的氧化行为。结果表明,在200—350℃铜的氧化符合立方规律;400—550℃的氧化初期为抛物线......
用扩展电阻探针等方法观测了经5～6atm高压水汽氧化后,(111)-Si中P、B、Sb的扩散分布,在823～940℃的工艺低温区发现:P、Sb的扩散减缓(......
介绍了美国某知名公司的排气歧管表面氧化处理的工艺。用酚醛热镶嵌法测定铸铁氧化层厚度，实现氧化层厚度的准确测量。氧化处理后内......
用XPS,UPS和AES研究铁早期氧化过程,认为在温度不太高和氧分压不太大的条件下,多晶铁片与氧作用生成的化合物是Fe3O4而不是FeO和α......
Sn-Ag-Cu合金作为最具潜力的传统Sn-Pb焊料替代品,具有优良的机械性能和可焊性。然而,Sn-Ag-Cu系无铅焊料制备过程中形成的氧化层......
卫星、核反应堆及其它长期工作在低剂量率的高能射线辐射条件下的MOS器件很容易因为辐射导致器件阈值电压漂移而失效，这需要从制造......
本研究采用椭圆偏振光谱技术（SE）较系统地对金属铀在低于100℃、纯氧条件下的表面氧化动力学进行了研究,着重测量了金属铀在纯氧中氧......
半导体陶瓷电容器的瓷坯为小圆片.瓷片经过烧结、还原半导化和再氧化后,表面形成很薄的氧化介质层,中间是n型半导体,电阻很小,起连......
